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硅 npn triple diffused planar 晶体管
应用 :
序列 调整器, 转变, 和 一般 目的
标识
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
stg
2SC5333
300
300
6
2
0.2
35(tc=25°c)
150
–55to+150
单位
V
V
V
一个
一个
W
°C
°C
■
绝对 最大 比率
■
电的 特性
标识
I
CBO
I
EBO
V
(br)ceo
h
FE
V
CE
(sat)
f
T
C
OB
2SC5333
1.0
最大值
1.0
最大值
300
最小值
30
最小值
1.0
最大值
10
典型值
75
典型值
单位
毫安
毫安
V
V
MHz
pF
情况
V
CB
=300V
V
EB
=6V
I
C
=25mA
V
CE
=4v, i
C
=0.5a
I
C
=1.0a, i
B
=0.2a
V
CE
=12v, i
E
=–0.2a
V
CB
=10v, f=1mhz
2SC5333
(ta=25°c) (ta=25°c)
I
C
–
V
CE
特性
(典型)
h
FE
–
I
C
特性
(典型)
h
FE
–
I
C
温度
特性
(典型)
I
C
–
V
是
温度
特性
(典型)
V
CE
(sat)
–
I
B
特性
(典型)
0
0
1
2
2134
集电级-发射级 电压 v
CE
(v)
集电级 电流 i
C
(一个)
I
B
=200mA
I
B
=20ma/停止
safe 运行 范围
(单独的 脉冲波)
f
T
–
I
E
特性
(典型)
0
3
2
1
0 0.1 0.2 0.3
根基 电流 i
B
(一个)
集电级-发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(v)
I
C
=1A
2A
3 10 1000 2000100
10
50
100
200
集电级 电流 i
C
(毫安)
直流 电流 增益 h
FE
(v
CE
=4v)
典型值
0
2
1
0 1.0
0.80.60.40.2
根基-emittor 电压 v
是
(v)
集电级 电流 i
C
(一个)
(v
CE
=4v)
125˚c (情况 温度)
25˚c (情况 温度)
–30˚c (情况 温度)
(v
CE
=4v)
3 5 10 50 100 500
1000 2000
10
50
200
100
集电级 电流 i
C
(毫安)
直流 电流 增益 h
FE
25˚C
–30˚C
125˚C
–0.003 –0.01 –0.05
–0.1 –0.5 –1
10
0
20
截-止 频率 f
T
(mh
Z
)
(v
CE
=12v)
发射级 电流 i
E
(一个)
典型值
θ
j-一个
–
t
特性
Pc
–
ta 减额
0.3
1
4
0.5
1 10 100 1000
时间 t(ms)
瞬时 热的 阻抗
θ
j-一个
(˚c/w)
35
30
20
10
2
0
0 25 50 75 100 125 150
包围的 温度 ta(˚c)
最大 电源 消耗 p
C
(w)
和 极大的 散热器
没有 散热器
■
典型 切换 特性 (一般 发射级)
V
CC
(v)
100
R
L
(
Ω
)
100
I
C
(一个)
1.0
I
B2
(一个)
–0.2
t
在
(
µ
s)
0.3
典型值
t
stg
(
µ
s)
4.0
典型值
t
f
(
µ
s)
1.0
典型值
I
B1
(一个)
0.1
外部 维度
fm20(to220f)
ø3.3
±0.2
10.1
±0.2
4.0
±0.2
16.9
±0.3
13.0min
8.4
±0.2
0.8
±0.2
3.9
±0.2
2.542.54
1.35
±0.15
0.85
+0.2
-0.1
1.35
±0.15
2.2
±0.2
4.2
±0.2
2.8
c
0.5
2.4
±0.2
0.45
+0.2
-0.1
是C
一个
b
重量 : approx 2.0g
一个. 类型 非.
b. lot 非.
V
B2
(v)
–5