2SC5738
2001-12-17
1
toshiba 晶体管 硅 npn 外延 类型
2SC5738
高速 开关 应用程序
直流-直流 变频器 应用程序
高 直流 电流 增益: h
铁
= 400 至 1000 (我
c
= 0.5 一个)
低 集电极-发射极 饱和度 电压: v
ce (sat)
= 0.15 v (最大值)
高速 开关: t
f
= 90 ns (典型值.)
最大值 额定值
(助教
25°c)
特性 符号 评级 单位
收集器-底座 电压 v
CBO
40 v
集电极-发射极 电压 v
CEX
30 v
集电极-发射极 电压 v
CEO
20 v
发射器-底座 电压 v
EBO
7 v
直流 我
c
3.5
收集器 电流
脉冲 我
cp
6.0
一个
底座 电流 我
B
350 ma
直流 625
收集器 电源
耗散
t
10 s
p
c
(备注)
1000
mW
接合点 温度 t
j
150 °c
存储 温度 范围 t
stg
55 至 150 °C
备注: 已安装 开启 fr4 板 (玻璃 环氧树脂, 1.6 mm 厚, 铜 area:
645 mm
2
)
电气 特性
(助教
25°c)
特性 符号 测试一下 条件 最小 典型值 最大值 单位
收集器 截止 电流 我
CBO
v
cb
40 v, 我
e?
0
100 不适用
发射器 截止 电流 我
EBO
v
eb
7 v, 我
c
0
100 不适用
集电极-发射极 击穿 电压 v
(br) ceo
我
c
10 ma, 我
B
0 20
v
h
铁
(1)
v
ce
2 v, 我
c
0.5 一个 400
1000
直流 电流 增益
h
铁
(2)
v
ce
2 v, 我
c
1.6 一个 200
集电极-发射极 饱和度 电压 v
ce (sat)
我
c
1.6 一个, 我
B
32 ma
0.15 v
基极-发射极 饱和度 电压 v
是 (sat)
我
c
1.6 一个, 我
B
32 ma
1.10 v
收集器 输出 电容 c
ob
v
cb
10 v, 我
e?
0, f
1 mhz
18
pf
上升 时间 t
右
100
存储 时间 t
stg
350
开关 时间
坠落 时间 t
f
请参见 图 1 电路 图表.
v
抄送
12 v, 右
l
7.5
我
B1
我
B2
53 ma
90
ns
工业 应用程序
单位: mm
电子元件工业联合会
―
JEITA
―
toshiba 2-3s1a
重量: 0.01 g (典型值.)
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