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半导体 组
1 dec-09-1996
bcr 48pn
npn/pnp 硅 数字的 tansistor 排列
• 切换 电路, 反相器, 接口 电路,
驱动 电路
• 二 (galvanic) 内部的 分开的 npn/pnp
晶体管 在 一个 包装
• 建造 在 偏差 电阻
npn: r1 = 47k
Ω
, r2 = 47k
Ω
pnp: r1 = 2.2k
Ω
, r2 = 47k
Ω
录音带 加载 方向
类型 标记 订货 代号 管脚 配置 包装
bcr 48pn WTs q62702-c2496 1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 sot-363
最大 比率
参数 标识 值 单位
集电级-发射级 电压
V
CEO
50 V
集电级-根基 电压
V
CBO
50
发射级-根基 电压          npn
V
EBO
10
发射级-根基 电压          pnp
V
EBO
5
直流 集电级 电流           npn
I
C
70 毫安
直流 集电级 电流           pnp
I
C
100
输入 在 电压                 npn
V
i(在)
50 V
输入 在 电压                 pnp
V
i(在)
10
总的 电源 消耗,
T
S
= 115°c
P
tot
250 mW
接合面 温度
T
j
150 °C
存储 温度
T
stg
- 65 ... + 150
热的 阻抗
接合面 包围的
1)
R
thJA
≤
275 k/w
接合面 - 焊接 要点
R
thJS
≤
140
1) 包装 挂载 在 pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 0.5cm
2
Cu

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半导体组 1 dec-09-1996 bcr 48pn npn/pnp 硅数字的 tansistor 排列 • 切换电路, 反相器, 接口电路, 驱动电路 • 二 (galvanic) 内部的分开的 npn/pnp 晶体管在一个包装 • 建造在偏差电阻 npn: r1 = 47k Ω , r2 = 47k Ω pnp: r1 = 2.2k Ω , r2 = 47k Ω 录音带加载方向类型标记订货代号管脚配置包装 bcr 48pn WTs q62702-c2496 1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 sot-363 最大比率参数标识值单位集电级-发射级电压 V CEO 50 V 集电级-根基电压 V CBO 50 发射级-根基电压 npn V EBO 10 发射级-根基电压 pnp V EBO 5 直流集电级电流 npn I C 70 毫安直流集电级电流 pnp I C 100 输入在电压 npn V i(在) 50 V 输入在电压 pnp V i(在) 10 总的电源消耗, T S = 115°c P tot 250 mW 接合面温度 T j 150 °C 存储温度 T stg - 65 ... + 150 热的阻抗接合面包围的 1) R thJA ≤ 275 k/w 接合面 - 焊接要点 R thJS ≤ 140 1) 包装挂载在 pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 0.5cm 2 Cu

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