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资料编号:911685
 
资料名称:BZX55C6V8
 
文件大小: 199K
   
说明
 
介绍:
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF GLASS SILICON ZENER DIODES
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
bzx55c...
vishay telefunken
rev. 4, 01-apr-99 1 (6)
www.vishay.de
faxback +1-408-970-5600
文件 号码 85605
硅 外延 平面 z–diodes
特点
d
很 锋利的 反向 特性
d
低 反向 电流 水平
d
很 高 稳定性
d
低 噪声
d
可用 与 更紧 公差
应用程序
94 9367
绝对 最大值 额定值
t
j
= 25
_
c
参数 测试一下 条件 类型 符号 单位
电源 耗散 l=4mm, t
l
=25
°
c p
v
500 mW
Z–current
z
p
v
/v
z
ma
接合点 温度 t
j
175
°
c
存储 温度 范围 t
stg
–65...+175
°
c
最大值 热 电阻
t
j
= 25
_
c
参数 测试一下 条件 符号 单位
接合点 环境 l=4mm, t
l
=constant
thja
300 k/w
电气 特性
t
j
= 25
_
c
参数 测试一下 条件 类型 符号 最小 Typ 最大值 单位
前进 电压
f
=200mA v
f
1.5 v
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