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特性
§
整体的 nv sram, real 时间 时钟,
结晶, 电源 失败 控制 电路 和 lithium
活力 源
§
标准 电子元件工业联合会 bytewide 2k x 8 静态的 内存
引脚
§
时钟 寄存器 是 accessed 相（恒）等 至 这
静态的 内存. 这些 寄存器 是 resident 在 这
第八 顶 内存 locations
§
totally nonvolatile 和 在 10 年 的
运作 在 这 absence 的 电源
§
进入 时间 的 70 ns 和 100 ns
§
quartz 精度 ±1 分钟 一个 month @ 25°c,
工厂 校准
§
bcd coded 年, month, 日期, 日, hours,
分钟, 和 秒 和 leap 年
补偿 有效的 向上 至 2100
§
电源-失败 写 保护 准许 为 ±10%
V
CC
电源 供应 容忍
§
lithium 活力 源 是 用电气
disconnected 至 retain freshness 直到 电源 是
应用 为 这 第一 时间
管脚 分派
管脚 描述
a0-a10 - 地址 输入
CE
- 碎片 使能
OE
- 输出 使能
我们
- 写 使能
V
CC
- +5 伏特
地 - 地面
dq0-dq7 - 数据 输入/输出
订货 信息
ds1642-70 70 ns 进入
ds1642-100 100 ns 进入
描述
这 ds1642 是 一个 2k x 8 nonvolatile 静态的 内存 和 一个 全部-函数 real 时间 时钟 这个 是 两个都
accessible 在 一个 bytewide format. 这 nonvolatile 时间 keeping 内存 是 管脚- 和 函数-相等的 至
任何 电子元件工业联合会 标准 2k x 8 sram. 这 设备 能 也 是 容易地 substituted 在 只读存储器, 非易失存储器 和
可擦可编程只读存储器 插座, 供应 读/写 nonvolatility 和 这 增加 的 这 real 时间 时钟 函数. 这
real 时间 时钟 信息 resides 在 这 第八 uppermost 内存 locations. 这 rtc 寄存器 包含
年, month, 日期, 日, hours, minutes, 和 秒 数据 在 24-hour bcd format. 纠正 为 这 日
的 这 month 和 leap 年 是 制造 automatically. 这 rtc 时钟 寄存器 是 翻倍-缓冲 至 避免
进入 的 incorrect 数据 那 能 出现 在 时钟 更新 循环. 这 翻倍-缓冲 系统 也
DS1642
nonvolatile timekeeping 内存
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V
CC
A8
A9
我们
OE
A10
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
地
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
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