© 2001 ixys 全部 权利 保留
1 - 2
109
v
DSS
我
D25
右
ds(开启)
600 v 38一个 70m
ΩΩ
ΩΩ
Ω
CoolMOS
电源 场效应晶体管
入点 isoplus247
tm
package?
n通道 增强功能 模式
低 右
DSon
, 高 v
DSS
场效应晶体管
包装 与 电气 隔离 底座
ixkr 40n60c
特点
●
isoplus247 包装 与 dcb 底座
- 电气 隔离 朝向 这 散热器
- 低 联轴器 电容 至 这 散热器 用于
减少 emi
- 高 电源 耗散
- 高 温度 骑自行车 能力
的 芯片 开启 dcb
- 电子元件工业联合会 to247ad 兼容
- 容易 夹子 总成
●
快 coolmos 电源 场效应晶体管 - 2
钕
世代
- 高 阻塞 能力
- 低 开启 电阻
- 雪崩 额定 用于 松开
归纳 开关 (uis)
- 低 热 电阻
到期 至 减少 芯片 厚度
●
增强型 合计 电源 密度
应用程序
●
已切换 模式 电源 供应品 (smps)
●
不间断 电源 供应品 (ups)
●
电源 因素 校正 (pfc)
●
Welding
●
归纳 加热
隔离 base*
isoplus 247
tm
E153432
g
d
g = 闸门 d = 排水管 s = 来源
* 专利 待定
coolmos 是 一个 商标 的
英飞凌 技术 ag.
高级 技术类 信息
ixys 储备金 这 右侧 至 变更 限制, 测试一下 条件 和 尺寸.
场效应晶体管
符号 条件 最大值 额定值
v
DSS
t
vj
= 25°c 至 150°c 600 v
v
gs
±20 v
我
D25
t
c
= 25°c 38 一个
我
D90
t
c
= 90°c 25 一个
设计验证/dt
v
ds
&指示灯; v
DSS
; 我
f
≤
50a;
di
f
/dt
≤
200a/µs 6 v/ns
t
vj
= 150°c
e?
作为
我
d
= 10 一个; l = 36 mh; t
c
= 25°c 1.8 j
e?
ar
我
d
= 20 一个; l = 5 µh; t
c
= 25°c 1 mJ
符号 条件 特性 数值
(t
vj
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
右
DSon
v
gs
= 10 v;
我
d
= 我
D90
70 m
Ω
v
GSth
v
ds
= 20 v;
我
d
= 3 ma; 3.5 5.5 v
我
DSS
v
ds
= v
DSS
;
v
gs
= 0 v; t
vj
= 25°c 25 µA
t
vj
= 125°c 60 µA
我
GSS
v
gs
= ±20 v; v
ds
= 0 v 100 不适用
q
g
220 nc
q
gs
55 nc
q
gd
125 nc
t
d(开启)
30 ns
t
右
95 ns
t
d(关)
100 ns
t
f
10 ns
v
f
(反向 传导) 我
f
= 20 一个;
v
gs
= 0 v 0.9 1.1 v
右
thjc
0.45 k/w
v
gs
= 10 v; v
ds
= 350 v; 我
d
= 50 一个
v
gs
= 10 v; v
ds
= 380 v;
我
d
= 25 一个; 右
g
= 1.8
Ω
: 点此下载
