km416c1000b, km416c1200b
cmos dram
km416v1000b, km416v1200b
这个 是 一个 家族 的 1,048,576 x 16 位 快 页 模式 cmos drams. 快 页 模式 提供 高 速 随机的 进入 的 记忆
cells 在里面 这 一样 行. 电源 供应 电压 (+5.0v 或者 +3.3v), refresh 循环 (1k ref. 或者 4k ref.), 进入 时间 (-5,-6 或者 -7),电源
消耗量(正常的 或者 低 电源) 和 包装 类型(soj 或者 tsop-ii) 是 optional 特性 的 这个 family. 所有 的 这个 家族 有CAS-
在之前-RASrefresh,RAS-仅有的 refresh 和 hidden refresh 能力. 此外, 自-refresh 运作 是 有 在 l-version. 这个
1mx16 快 页 模式 dram 家族 是 fabricated 使用 samsung's 先进的 cmos 处理 至 realize 高 带宽-宽度, 低 电源
消耗量 和 高 可靠性. 它 将 是 使用 作 graphic 记忆 单位 为 microcomputer, 个人的 计算机 和 可携带的 machines.
¡Ü
部分 identification
- km416c1000b/b-l (5v, 4k ref.)
- km416c1200b/b-l (5v, 1k ref.)
- km416v1000b/b-l (3.3v, 4k ref.)
- km416v1200b/b-l (3.3v, 1k ref.)
¡Ü
快 页 模式 运作
¡Ü
2CAS字节/文字 读/写 运作
¡Ü
CAS-在之前-RASrefresh 能力
¡Ü
RAS-仅有的 和 hidden refresh 能力
¡Ü
自-refresh 能力 (l-ver 仅有的)
¡Ü
ttl(5v)/lvttl(3.3v) 兼容 输入 和 输出
¡Ü
early 写 或者 输出 使能 控制 写
¡Ü
电子元件工业联合会 标准 引脚
¡Ü
有 在 42-管脚 soj 400mil 和 50(44)-管脚 tsop(ii)
400mil 包装
¡Ü
单独的 +5v
¡¾
10% 电源 供应 (5v 产品)
¡Ü
单独的 +3.3v
¡¾
0.3v 电源 供应 (3.3v 产品)
控制
Clocks
vbb 发生器
refresh 计时器
refresh 控制
refresh 计数器
行 地址 缓存区
col. 地址 缓存区
行 解码器
column 解码器
更小的
数据 输出
缓存区
RAS
UCAS
LCAS
W
Vcc
Vss
DQ0
至
DQ7
a0-a11
(a0 - a9)*1
a0 - a7
(a0 - a9)*1
记忆 排列
1,048,576 x16
Cells
samsung electronics co., 有限公司.
reserves 这 正确的 至
改变 产品 和 规格 没有 注意.
1m x 16bit cmos 动态 内存 和 快 页 模式
描述
特性
函数的 块 图解
¡Ü
refresh 循环
部分
非.
VCC
Refresh
循环
refresh 时期
正常的 l-ver
C1000B 5V
4K 64ms
128ms
V1000B 3.3v
C1200B 5V
1K 16ms
V1200B 3.3v
¡Ü
perfomance 范围
速
tRAC tCAC tRC tPC
Remark
-5 50ns 15ns 90ns 35ns 5v/3.3v
-6 60ns 15ns 110ns 40ns 5v/3.3v
-7 70ns 20ns 130ns 45ns 5v/3.3v
¡Ü
起作用的 电源 消耗
速
3.3v 5V
4K 1K 4K 1K
-5 396 576 605 880
-6 360 540 550 825
-7 324 504 495 770
单位 : mw
sense 放大器 &放大; i/o
Upper
数据 在
缓存区
Upper
数据 输出
缓存区
更小的
数据 在
缓存区
DQ8
至
DQ15
OE
便条)*1: 1k refresh
: 点此下载
