半导体 组件 industries, llc, 2005
二月, 2005 − rev. 5
1
发行 顺序 号码:
mc14049b/d
mc14049b, mc14050b
十六进制 缓存区
这 mc14049b 十六进制 反相器/缓存区 和 mc14050b 同相
十六进制 缓存区 是 构成 和 mos p−channel 和 n−channel
增强 模式 设备 在 一个 单独的 大而单一的 结构. 这些
complementary mos 设备 find primary 使用 在哪里 低 电源
消耗 和/或者 高 噪音 免除 是 desired. 这些 设备
提供 逻辑 水平的 转换 使用 仅有的 一个 供应 电压, v
DD
.
这 input−signal 高 水平的 (v
IH
) 能 超过 这 v
DD
供应
电压为 逻辑 水平的 conversions. 二 ttl/dtl 负载 能 是 驱动
当 这 设备 是 使用 作 一个 cmos−to−ttl/dtl 转换器
(v
DD
= 5.0 v, v
OL
0.4 v,
I
OL
≥
3.2 毫安).
便条 那 管脚 13 和 16 是 不 连接 内部 在 这些
设备; consequently 连接 至 这些 terminals 将 不 影响
电路 运作.
特性
•
高 源 和 下沉 电流
•
high−to−low 水平的 转换器
•
供应 电压 范围 = 3.0 v 至 18 v
•
V
在
能 超过 v
DD
•
满足 电子元件工业联合会 b 规格
•
改进 静电释放 保护 在 所有 输入
•
pb−free 包装 是 available*
最大 比率
(电压 关联 至 v
SS
)
标识 参数 值 单位
V
DD
直流 供应 电压 范围 −0.5 至 +18.0 V
V
在
输入 电压 范围 (直流 或者 瞬时) −0.5 至 +18.0 V
V
输出
输出 电压 范围 (直流 或者 瞬时) −0.5 至 v
DD
+
0.5
V
I
在
输入 电流 (直流 或者 瞬时) 每 管脚
±
10 毫安
I
输出
输出 电流 (直流 或者 瞬时) 每 管脚
±
45 毫安
P
D
电源 消耗, 每 包装 (便条 1)
(塑料)
(soic)
825
740
mW
T
一个
包围的 温度 范围 −55 至 +125
°
C
T
stg
存储 温度 范围 −65 至 +150
°
C
T
L
含铅的 温度 (8−second 焊接) 260
°
C
1. 温度 减额: 看 图示 3.
这个 设备 包含 保护 电路系统 至 保护 这 输入 相反 损坏
预定的 至 高 静态的 电压 或者 electric 地方 关联 至 这 v
SS
管脚 仅有的. extra
预防措施 必须 是 带去 至 避免 产品 的 任何 电压 高等级的 比 这
最大评估 电压 至 这个 high−impedance 电路. 为 恰当的 运作, 这
范围 v
SS
≤
V
在
≤
18 v 和 v
SS
≤
V
输出
≤
V
DD
是 推荐.
unused 输入 必须 总是 是 系 至 一个 适合的 逻辑 电压 水平的
(e.g., 也 v
SS
或者 v
DD
). unused 输出 必须 是 left 打开.
*For额外的 信息 在 我们的 pb−free strategy 和 焊接 详细信息, 请
下载 这 在 半导体 焊接 和 挂载 技巧
涉及 手工的, solderrm/d.
http://onsemi.com
标记
图解
PDIP−16
p 后缀
情况 648
MC140xxBCP
AWLYYWW
SOIC−16
d 后缀
情况 751b
TSSOP−16
dt 后缀
情况 948f
140xxB
AWLYWW
14
0xxB
ALYW
xx = 明确的 设备 代号
一个 = 组装 location
wl, l = 薄脆饼 lot
yy, y = 年
ww, w = 工作 week
SOEIAJ−16
f 后缀
情况 966
MC140xxB
AWLYWW
看 详细地 订货 和 shipping 信息 在 这 包装
维度 部分 在 页 2 的 这个 数据 薄板.
订货 信息
16
1
1
16
1
16
1
16
: 点此下载
