半导体 组件 行业, llc, 2003
12月, 2003 − rev. 8
1
出版物 订单 号码:
mc74vhc1gt125/d
MC74VHC1GT125
非反相 缓冲区 /
cmos 逻辑 水平 换档器
与 lsttl−compatible 输入
这 mc74vhc1gt125 是 一个 单独 闸门 非反相 缓冲区 预制
与 硅 闸门 cmos 技术. 它 达到 高 速度 操作
类似 至 等效 双极性 肖特基 ttl 同时 维护 cmos
低 电源 耗散.
这 mc74vhc1gt125 需要 这 3−state 控制 输入 (oe
) 至 是
设置 高 至 地点 这 输出 进入 这 高 阻抗 州.
这 设备 输入 是 兼容 与 ttl−type 输入 阈值 和 这
输出 有 一个 已满 5 v cmos 水平 输出 秋千. 这 输入 保护
电路 开启 这个 设备 允许 过电压 公差 开启 这 输入,
允许 这 设备 至 是 已使用 作为 一个 logic−level 翻译器 从 3.0 v
cmos 逻辑 至 5.0 v cmos 逻辑 或 从 1.8 v cmos 逻辑 至 3.0 v
cmos 逻辑 同时 操作 在 这 high−voltage 电源 供应.
这 mc74vhc1gt125 输入 结构 提供 保护 当
电压 向上 至 7 v 是 已应用, 无论如何 的 这 供应 电压. 这个
允许 这 mc74vhc1gt125 至 是 已使用 至 接口 5 v 电路 至 3 v
电路. 这 输出 构筑物 也 提供 保护 当 v
抄送
= 0 v.
这些 输入 和 输出 构筑物 帮助 防止 设备 销毁 导致
由 供应 电压 − 输入/输出 电压 不匹配, 蓄电池 备份, 热
插入, 等
•
高 速度: t
pd
= 3.5 ns (典型值) 在 v
抄送
= 5 v
•
低 电源 耗散: 我
抄送
= 1
一个 (最大值) 在 t
一个
= 25
°
c
•
ttl−compatible 输入: v
il
= 0.8 v; v
ih
= 2.0 v
•
cmos−compatible 产出: v
哦
> 0.8 v
抄送
; v
ol
&指示灯; 0.1 v
抄送
@Load
•
电源 向下 保护 提供 开启 输入 和 产出
•
平衡式 传播 延误
•
管脚 和 功能 兼容 与 其他 标准 逻辑 家庭
•
芯片 复杂性: fets = 62; 等效
盖茨 = 16
图 1. 引出线
(顶部 查看)
入点 一个
出点 y
v
抄送
oe
入点 一个
出点 ygnd
oe
图 2. 逻辑 符号
1
2
3
4
5
管脚 分配
1
2
3 地
oe
入点 一个
4
5V
抄送
出点 y
请参见 详细 订购 和 装运 信息 入点 这 包装
尺寸 截面 开启 第页 4 的 这个 数据 工作表.
订购 信息
功能 表
l
h
x
一个 输入 y 输出
l
h
z
oe
输入
l
l
h
sc−88a / sot−353/sc−70
df 后缀
案例 419a
管脚 1
d = 日期 代码
W1
d
tsop−5/sot−23/sc−59
dt 后缀
案例 483
管脚 1
d = 日期 代码
W1
d
标记
图表
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