综合 设备 技术, 公司
军事 和 商业 温度 范围 march 1996
1996 综合 设备 技术, 公司
5.1
3089/1
用于 最新 信息 联系人 idt's web 现场 在 www.idt.com 或 传真-开启-需求 在 408-492-8391.
这 idt 徽标 是 aregistered 商标 的 综合 设备 技术, 公司
特点:
• 高速 访问权限 和 芯片 选择 次
— 军事: 20/25/35/45/55/70/90/120/150ns (最大值.)
— 商业: 15/20/25/35/45ns (最大值.)
• 低功耗 消费
• 蓄电池 备份 操作
— 2v 数据 保留 电压 (洛杉矶 版本 仅)
• 生产 与 高级 cmos 高性能
技术
• cmos 流程 几乎 消除 阿尔法 particle
软-错误 费率
• 输入 和 输出 直接 ttl-兼容
• 静态 操作: 否 时钟 或 刷新 必填项
• 可用 入点 陶瓷 和 塑料 24-管脚 倾角, 24-管脚 薄
倾角 和 24-管脚 soic 和 24-管脚 soj
• 军事 产品 符合 至 密耳-标准-833, 类 b
描述:
这 idt6116sa/洛杉矶 是 一个 16,384-有点 高速 静态 ram
有组织的 作为 2k x 8. 它 是 预制 使用 idt's 高-perfor-
mance, 高可靠性 cmos 技术.
访问权限 次 作为 快 作为 15ns 是 可用. 这 电路 也
优惠 一个 减少 电源 备用 模式. 当
cs
去 高,
这 电路 将 自动 走 至, 和 保持 入点, 一个 备用
电源 模式, 作为 长 作为
cs
遗迹 高. 这个 能力
提供 重大 系统 水平 电源 和 冷却 储蓄.
这 低功耗 (洛杉矶) 版本 也 优惠 一个 蓄电池 备份 数据
保留 能力 在哪里 这 电路 通常 消耗 仅
1
µ
w 至 4
µ
w 操作 关 一个 2v 蓄电池.
全部 输入 和 产出 的 这 idt6116sa/洛杉矶 是 ttl-
兼容. 完全 静态 异步 电路 是 已使用, 请求-
ing 否 时钟 或 刷新 用于 操作.
这 idt6116sa/洛杉矶 是 已打包 入点 24-管脚 600 和 300 密耳
塑料 或 陶瓷 倾角 和 一个 24-铅 海鸥-机翼 soic, 和 一个 24
-铅 j-弯管 soj 提供 高 板级 填料 密度-
领带.
军事 等级 产品 是 已制造 入点 合规性 至 这
最新 版本 的 密耳-标准-883, 类 b, 制作 它 理想情况下
适合 至 军事 温度 应用程序 要求苛刻 这
最高 水平 的 业绩 和 可靠性.
功能 块 图表
cs
一个
0
一个
10
我/o
0
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7
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我们
128 x 128
记忆
阵列
我/o 控制
地址
解码器
输入
数据
电路
控制
电路
地
3089 drw 01
v
抄送
1
IDT6116SA
IDT6116LA
cmos 静态 ram
16k (2k x 8 有点)
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