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1993
数据 工作表
硅 晶体管
文件 否. p10385ej2v0ds00 (2nd 版本)
(上一个 否. td-2399)
日期 已发布 july 1995 p
已打印 入点 日本
2SC5006
npn 硅 外延 晶体管
3 针脚 超 超级 迷你 模具
描述
这 2sc5006 是 一个 npn 外延 硅 晶体管 设计 用于 使用 入点 低 噪声 和 小 信号 放大器 从
vhf 乐队 至 uhf 乐队. 低 噪声 图, 高 增益, 和 高 电流 能力 实现 一个 很 宽 动态 范围
和 优秀 线性度. 这个 是 已实现 由 直接 渗氮 钝化 底座 表面, 流程 (nest2 流程) 哪个
是 一个 nec 专有 制作 技术.
特点
• 低 电压 使用.
• 高 f
t
: 4.5 ghz 典型值 (@ v
ce
= 3 v, 我
c
= 7 ma, f = 1 ghz)
• 低 c
re
: 0.7 pf 典型值 (@ v
ce
= 3 v, 我
e?
= 0, f = 1 mhz)
• 低 nf : 1.2 db 典型值 (@ v
ce
= 3 v, 我
c
= 7 ma, f = 1 ghz)
• 高 |s
21e
|
2
: 9 db 典型值 (@ v
ce
= 3 v, 我
c
= 7 ma, f = 1 ghz)
• 超 超级 迷你 模具 包装.
订购 信息
零件
数量 填料 风格
号码
2SC5006 50 pcs./单位
2sc5006-t1 3 kpcs./卷轴
*
请 联系人 与 负责 nec 人, 如果 你 需要 评价
样品. 单位 样品 数量 应 是 50 pcs.
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25 ˚c)
收集器 至 底座 电压 v
CBO
20 v
收集器 至 发射器 电压 v
CEO
12 v
发射器 至 底座 电压 v
EBO
3.0 v
收集器 电流 我
c
100 ma
合计 电源 耗散 p
t
125 mW
接合点 温度 t
j
150 ˚ c
存储 温度 t
stg
–60 至 +150 ˚ c
1.6 ± 0.1
0.8 ± 0.1
1.6 ± 0.1
1.0
0.5 0.5
0.2
+0.1
–0
0.3
+0.1
–0
2
1
3
0.75 ± 0.05
0.6
0 至 0.1
0.15
+0.1
–0.05
包装 dimensions
入点 毫米
1. emitter
2. base
3. 收集器
压花 胶带 8 mm 宽.
pin3 (收集器) 面部 至 perforation 侧面
的 这 胶带.
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