特性
TrenchFET
电源 场效应晶体管
pwm 优化 为 (最低 q
g
和 低 r
G
)
产品
primary 一侧 转变
Si4464DY
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 72051
s-22099—rev. 一个, 02-dec-02
www.vishay.com
1
n-频道 200-v (d-s) 场效应晶体管
产品 summary
V
DS
(v)
r
ds(在)
(
)
I
D
(一个)
0.240 @ v
GS
= 10 v 2.2
200
0.260 @ v
GS
= 6.0 v 2.1
所以-8
SD
SD
SD
GD
5
6
7
8
顶 视图
2
3
4
1
D
G
S
n-频道 场效应晶体管
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 10 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
200
门-源 电压 V
GS
20
V
T
一个
= 25
C
2.2 1.7
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
1.7 1.3
搏动 流 电流 I
DM
8
一个
单独的 avalanch 电流 I
作
3
单独的 avalanch 活力
l = 0.1 mh
E
作
0.45 mJ
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
2.1 1.2 一个
T
一个
= 25
C
2.5 1.5
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
1.6 0.9
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
-55 至 150
C
热的 阻抗 比率
参数 标识 典型 最大 单位
t
10 秒 37 50
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
68 85
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
17 21
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.
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