特点
TrenchFET
电源 场效应晶体管
pwm 优化 用于 (最低 q
g
和 低 右
g
)
应用程序
主要 侧面 开关
Si4464DY
vishay siliconix
新建 产品
文件 号码: 72051
s-22099—rev. 一个, 02-12月-02
www.vishay.com
1
n通道 200-v (d-s) 场效应晶体管
产品 摘要
v
ds
(v)
右
ds(开启)
(
)
我
d
(一个)
0.240 @ v
gs
= 10 v 2.2
200
0.260 @ v
gs
= 6.0 v 2.1
所以-8
sd
sd
sd
gd
5
6
7
8
顶部 查看
2
3
4
1
d
g
s
n通道 场效应晶体管
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
c 除非 否则 已注明)
参数 符号 10 秒 稳定 州 单位
漏源 电压 v
ds
200
栅极-源极 电压 v
gs
20
v
t
一个
= 25
c
2.2 1.7
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 70
c
我
d
1.7 1.3
脉冲 排水管 电流 我
dm
8
一个
单独 avalanch 电流 我
作为
3
单独 avalanch 能源
l = 0.1 mh
e?
作为
0.45 mJ
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
2.1 1.2 一个
t
一个
= 25
c
2.5 1.5
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 70
c
p
d
1.6 0.9
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
-55 至 150
c
热 电阻 额定值
参数 符号 典型 最大值 单位
t
10 秒 37 50
最大值 交叉点到环境
一个
稳定 州
右
thja
68 85
c/w
最大值 接合点-至-脚 (排水管) 稳定 州 右
thJF
17 21
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 1” x 1” fr4 板.
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