特性
TrenchFET
电源 mosfets
100% r
G
测试
产品
buck 转换器
同步的 整流器
- secondary 整流器
Si4856DY
vishay siliconix
新 产品
文档 号码:71881
s-03662—rev. b, 03-apr-03
www.vishay.com
1
n-频道 30-v 场效应晶体管
产品 summary
V
DS
(v)
r
ds(在)
(
)
I
D
(一个)
30
0.006 @ v
GS
= 10 v 17
30
0.0085 @ v
GS
= 4.5 v 14
SD
S
D
SD
G
D
所以-8
5
6
7
8
顶 视图
2
3
4
1
n-频道 场效应晶体管
D
G
S
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 10 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
30
V
门-源 电压 V
GS
20
V
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
17 12
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
14 9
一个
搏动 流 电流 I
DM
50
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
2.7 1.40
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
3.0 1.6
W
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
2.0 1.0
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
-55 至 150
C
热的 阻抗 比率
参数 标识 典型 最大 单位
最大 接合面 至 包围的 (场效应晶体管)
一个
t
10 秒
R
34 41
最大 接合面-至-包围的 (场效应晶体管)
一个
稳步的 状态
R
thJA
67 80
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
15 19
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.
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