特性
TrenchFET
电源 场效应晶体管
先进的 高 cell 密度 处理
产品
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Si4931DY
vishay siliconix
新 产品
文档号码: 72379
s-32411—rev. b, 24-十一月-03
www.vishay.com
1
双 p-频道 12-v (d-s) 场效应晶体管
产品SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
0.018 @ v
GS
=
−
4.5 v
−
8.9
−
12
0.022 @ v
GS
=
−
2.5 v
−
8.1
0.028 @ v
GS
=
−
1.8 v
−
3.6
S
1
D
1
G
1
D
1
S
2
D
2
G
2
D
2
所以-8
5
6
7
8
顶 视图
2
3
4
1
S
1
G
1
D
1
p-频道 场效应晶体管
S
2
G
2
D
2
p-频道 场效应晶体管
订货 信息: Si4931DY—E3
si4931dy-t1—e3 (和 tape 和 卷轴)
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 10 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
−
12
V
门-源 电压 V
GS
8
V
持续的 流 电流
(t
J
=150
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
−
8.9
−
6.7
Continuous dra在Current
(t
J
=150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
−
7.1
−
5.4
一个
搏动 流 电流 I
DM
−
30
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
−
1.7
−
0.9
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
2.0 1.1
W最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
1.3 0.7
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−
55 至 150
C
热的阻抗比率
参数 标识 典型 最大 单位
Mi J 德州仪器 tAbit
一个
t
10 秒
R
46 62.5
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
80 110
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
24 32
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1 ” x 1” fr4 板.