1
特点
•
快 阅读 访问权限 时间 – 150 ns
•
自动 第页 写 操作
–
内部 地址 和 数据 锁扣 用于 64 字节数
•
快 写 循环 次
–
第页 写 循环 时间: 10 ms 最大值
–
1 至 64-字节 第页 写 操作
•
低 电源 耗散
–
40 ma 活动 电流
–
100
µa cmos 备用 电流
•
硬件 和 软件 数据 保护
•
数据轮询 和 切换 有点 用于 结束 的 写 检测
•
高 可靠性 cmos 技术
–
耐力: 100,000 循环次数
–
数据 保留: 10 年
•
单独 5v
±
10% 供应
•
cmos 和 ttl 兼容 输入 和 产出
•
电子元件工业联合会 已批准 字节宽 引出线
•
商业 和 工业 温度 范围
描述
这 at28c64b 是 一个 高性能 可电擦除 和 可编程 阅读
仅 记忆 (可擦可编程只读存储器). 其 64k 的 记忆 是 有组织的 作为 8,192 字词 由 8 比特.
已制造 与 atmel
’
s 高级 非挥发性 cmos 技术, 这 设备 优惠
访问权限 次 至 150 ns 与 电源 耗散 的 只是 220 mw. 当 这 设备 是
取消选择, 这 cmos 备用 电流 是 较少 比 100
µa.
64k (8k x 8)
平行
可擦可编程只读存储器 与
第页 写 和
软件 数据
保护
在28c64B
rev. 0270h
–
12/99
管脚 配置
管脚 姓名 功能
a0 - a12 地址
ce
芯片 启用
oe
输出 启用
我们
写 启用
我/o0 - 我/o7 数据 输入/产出
nc 否 连接
直流 唐
’
t 连接
pdip, soic
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nc
A12
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A0
我/o0
我/o1
我/o2
地
VCC
我们
nc
A8
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oe
A10
ce
我/o7
我/o6
我/o5
我/o4
我/o3
TSOP
至pv我e?w
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oe
A11
A9
A8
nc
我们
VCC
nc
A12
A7
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A3
A10
ce
我/o7
我/o6
我/o5
我/o4
我/o3
地
我/o2
我/o1
我/o0
A0
A1
A2
PLCC
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备注: plcc 包装 针脚 1 和 17 是
唐
’
t 连接.
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nc
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oe
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ce
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地
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nc
直流
VCC
我们
nc
(续)
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