>┊
首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号: 
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:952668
 
资料名称:JANTX2N3868S
 
文件大小: 56K
   
说明
 
介绍:
Silicon PNP Power Transistors
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号JANTX2N3868S的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
技术类 数据
pnp 开关 硅 晶体管
合格 按 密耳-prf-19500/350
设备 合格 水平
2N3867
2N3867S
2N3868
2N3868S
JAN
JANTX
JANTXV
最大值 额定值
额定值
符号
2N3867
2N3867s
2N3868
2N3868s
单位
收集器-Emitte右 电压
v
CEO
40 60 Vdc
收集器-底座 电压
v
CBO
40 60 Vdc
发射器-底座 电压
v
EBO
4.0 Vdc
收集器 电流--连续
c
3.0 adc
合计 电源 耗散@ t
一个
= 25
0
c
(1)
@ t
c
= 25
0
c
(2)
p
t
1.0
10
w
w
操作 &放大器; 存储 温度 范围
t
op,
t
stg
-55 至 +200
0
c
热 特性
特性 符号 最大值 单位
热 电阻, 接合点--案例
θ
jc
17.5
0
c/w
1) 降额 线性 5.71 mw/
0
c 用于 t
一个
> +25
0
c
2) 降额 线性 57.1 mw/
0
c用于 t
c
> +25
0
c
*see 附录 一个 用于
包装 大纲
电气 特性 (t
一个
= 25
0
c 除非 否则 已注明)
特性
符号 最小值 最大值 单位
关 特性
收集器-底座 击穿 电压
c
= 100
µ
adc2n3867, s
2n3868, s
v
(br)
cbo
40
60
Vdc
收集器-发射器 击穿 电压
c
= 20 madc2n3867, s
2n3868, s
v
(br)
CEO
40
60
Vdc
发射器-底座 击穿 电压
e?
= 100
µ
adc
v
(br)
EBO
4.0
Vdc
收集器-发射器 截止 电流
v
eb
= 2.0 vdc, v
ce
= 40 vdc2n3867, s
v
eb
= 2.0 vdc, v
ce
= 60 vdc2n3868, s
CEX
1.0
1.0
µ
adc
收集器-底座 截止 电流
v
cb
= 40 vdc 2n3867, s
v
cb
= 60 vdc 2n3868, s
CBO
100
µ
adc
发射器-底座 截止 电流
v
eb
= 4 vdc
EBO
100
µ
adc
6 lake 街道, lawrence, ma 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / 传真: (978) 689-0803
120101
第页1的 2
-5*
2n3867, 2n3868
-39*
(至-205ad)
2n3867s, 2n3868s
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com