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资料编号:952699
 
资料名称:2N4124
 
文件大小: 85K
   
说明
 
介绍:
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
 
 


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1
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特点
l
通过 孔 至-92 包装
l
有能力 的 625mwatts 的 电源 dissipatio
机械 数据
l
案例: 至-
l
标记:
2N4123---------2N4123
2N4124---------2N4124
最大值 额定值@ 25
o
c 除非 否则 指定
Charateristic 符号 单位
集电极-发射极 电压 2n4123
2N4124
v
CEO
30
25
v
收集器-底座 电压 2n4123
2N4124
v
CBO
40
30
v
发射器-底座 电压 2n4123
2N4124
v
EBO
5 v
收集器 电流(直流)
c
200 ma
电源 dissipation@t
一个
=25
o
c
p
d
625
5.0
mW
mw/
o
c
电源 dissipation@t
c
=25
o
c
p
d
1.5
12
w
mw/
o
c
热 电阻, 接合点 至
环境 空气
200
o
c/w
热 电阻, 接合点 至
案例
83.3
o
c/w
操作 &放大器; 存储 温度 t
j
, t
stg
-55~150
o
c
2N4123
2N4124
npn 硅 概述
purpose 晶体管
625mW
至-92
英寸 mm
昏暗 最小 最大值 最小 最大值 备注
一个 .175 .185 4.45 4.70
B .175 .185 4.46 4.70
c .500 --- 12.7 ---
d .016 .020 0.41 0.63
e? .135 .145 3.43 3.68
g .095 .105 2.42 2.67
一个
e?
B
c
d
g
尺寸
www.mccsemi.com
管脚 配置
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21201 itasca 街道 chatsworth
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