©2004 仙童 半导体 公司 rev. 一个, january 2004
2N5245
绝对 最大值 ratings*
t
一个
=25
°
c 除非 否则 已注明
* 这个 额定值 是 限制 数值 以上 哪个 这 可维修性 的 任何 半导体 设备 将 是 受损.
备注:
1) 这些 评级 是 基于 开启 一个 最大值 接合点 温度 的 150 学位 c.
2) 这些 是 稳定 限制. 这 工厂 应该 是 咨询 开启 应用程序 涉及 脉冲 或 低 职责 循环 运营.
电气 特性
t
一个
=25
°
c 除非 否则 已注明
* 脉冲 测试一下: 脉冲
≤
300
µ
s
热 特性
t
一个
=25
°
c 除非 否则 已注明
符号 参数 额定值 单位
v
dg
漏极-栅极 电压 30 v
v
gs
栅极-源极 电压 -30 v
我
GF
前进 闸门 电流 10 ma
t
j
, t
stg
操作 和 存储 接合点 温度 范围 -55 ~ 150
°
c
符号 参数 测试一下 条件 最小值 最大值 单位
关 特性
v
(br)gss
栅极-源极 breakdwon 电压 我
g
= 1.0
µ
一个, v
ds
= 0 -30 v
我
GSS
闸门 反向 电流 v
gs
= 25v, v
ds
= 0 -1.0 不适用
v
gs(关)
栅极-源极 截止 电压 v
ds
= 15v, 我
d
= 1.0na -1.0 -0.6 v
开启 特性
我
DSS
零-闸门 电压 排水管 电流 * v
ds
= 15v, v
gs
= 0 5 15 ma
小 信号 特性
gfs 前进 transferconductance v
gs
= 0v, v
ds
= 15v, f = 1.0khz 4500 11000
µ
mhos
goss 普通- 来源 输出 电导 v
gs
= 0v, v
ds
= 15v, f = 1.0khz 50
µ
mhos
符号 参数 最大值 单位
p
d
合计 设备 耗散
降额 以上 25
°
c
350
2.8
mW
mw/
°
c
右
θ
jc
热 电阻, 接合点 至 案例 125
°
c/w
右
θ
ja
热 电阻, 接合点 至 环境 357
°
c/w
2N5245
n通道 rf 放大器
• 这个 设备 是 设计 用于 hf/vhf 搅拌机/放大器 和 应用程序
在哪里 流程 50is 不 足够的. 足够 增益 和 低 噪声 用于
敏感 接收器.
• 来源 从 流程 90.
至-92
1. 闸门 2. 来源 3. 排水管
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