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资料编号:952743
 
资料名称:2N5401RL1
 
文件大小: 69K
   
说明
 
介绍:
Amplifier Transistors
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组件 行业, llc, 2004
将, 2004 − rev. 1
1
出版物 订单 号码:
2n5401/d
2N5401
首选 设备
放大器 晶体管
pnp 硅
特点
pb−free 软件包 是 available*
最大值 额定值
评级 符号 2N5400 2N5401 单位
收集器 − 发射器 电压 v
CEO
120 150 Vdc
收集器 − 底座 电压 v
CBO
130 160 Vdc
发射器 − 底座 电压 v
EBO
5.0 Vdc
收集器 电流 − 连续
c
600 mAdc
合计 设备 耗散
@ t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
625
5.0
mW
mw/
°
c
合计 设备 耗散
@ t
c
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
1.5
12
瓦特
mw/
°
c
操作 和 存储 接合点
温度 范围
t
j
, t
stg
55 至 +150
°
c
最大值 额定值 是 那些 数值 超越 哪个 设备 损伤 可以 发生.
最大值额定值 已应用 至 这 设备 是 个人 应力 限制 数值 (不 也没有-
《仲裁示范法》 操作 条件) 和 是 不 有效 同时. 如果 这些 限制 是 ex-
割让,
热 特性
特性 符号 最大值 单位
热 电阻,
Junction−to−Ambient
ja
200
°
c/w
热 电阻,
Junction−to−Case
jc
83.3
°
c/w
2N54xx
y = 年份
ww = 工作 周
YWW
标记 图表
TO−92
案例 29
风格 1
1
2
3
首选
设备 是 推荐 选择 用于 未来 使用
和 最好 总体 值.
请参见 详细 订购 和 装运 信息 入点 这 包装
尺寸 截面 开启 第页 2 的 这个 数据 工作表.
订购 信息
http://onsemi.com
*For附加 信息 开启 我们的 pb−free 战略
和 焊接 详细信息, 请 下载 这
开启 半导体 焊接 和 安装
技术 参考 手册, solderrm/d.
收集器
3
2
底座
1
发射器
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