硅 pnp 外延 平面 晶体管
(补码 至 类型 2sc3263)
应用程序 :
音频 和 概述 目的
符号
v
CBO
v
CEO
v
EBO
我
c
我
B
p
c
Tj
t
stg
2SA1294
–230
–230
–5
–15
–4
130(tc=25°c)
150
–55
至
+150
单位
v
v
v
一个
一个
w
°C
°C
■
绝对 最大值 额定值
■
电气 特性
■
典型 开关 特性 (普通 发射器)
符号
我
CBO
我
EBO
v
(br)ceo
h
铁
v
ce
(sat)
f
t
c
ob
2SA1294
–100
最大值
–100
最大值
–230
最小
50
最小
∗
–2.0
最大值
35
典型值
500
典型值
单位
µ
一个
µ
一个
v
v
MHz
pf
条件
v
cb
=–230V
v
eb
=–5V
我
c
=–25mA
v
ce
=–4v, 我
c
=–5A
我
c
=–5a, 我
B
=–0.5a
v
ce
=–12v, 我
e?
=2A
v
cb
=–10v, f=1mhz
v
抄送
(v)
–60
右
l
(
Ω
)
12
我
c
(一个)
–5
v
BB2
(v)
5
我
B2
(ma)
500
t
开启
(
µ
s)
0.35typ
t
stg
(
µ
s)
1.50typ
t
f
(
µ
s)
0.30typ
我
B1
(ma)
–500
LAPT
2SA1294
(助教=25°c)
(助教=25°c)
我
c
–
v
ce
特性
(典型)
h
铁
–
我
c
特性
(典型)
安全 操作 面积
(单独 脉冲)
h
铁
–
我
c
温度
特性
(典型)
我
c
–
v
是
温度
特性
(典型)
v
ce
(sat)
–
我
B
特性
(典型)
pc
–
助教 降额
0
0
–5
–10
–15
–1 –2 –3 –4
集电极-发射极 电压 v
ce
(v)
收集器 电流 我
c
(一个)
–3.0a
–50mA
–100mA
我
B
=–20mA
–1.5a
–1.0a
–500mA
–300mA
–200mA
0
– 3
–2
–1
0 –0.5 –1.0 –2.0–1.5
底座 电流 我
B
(一个)
集电极-发射极 饱和度 电压 v
ce(sat)
(v)
我
c
=–10A
–5A
–0.02 –0.1 –1 –10–5–0.5 –15
10
50
100
200
收集器 电流 我
c
(一个)
直流 电流 增益 h
铁
(v
ce
=–4v)
典型值
–3 –10 –100 –300
–0.1
–0.05
–1
–0.5
–10
–40
–5
集电极-发射极 电压 v
ce
(v)
收集器 电流 我
c
(一个)
10ms
直流
无 散热器
天然 冷却
0.02 0.1 1 10
0
20
40
60
截止 频率 f
t
(mh
z
)
(v
ce
=–12v)
发射器 电流 我
e?
(一个)
典型值
0.1
1
3
0.5
1 10 100 1000 2000
时间 t(ms)
瞬态 热 电阻
θ
j-a
(˚c/w)
θ
j-a
–
t
特性
f
t
–
我
e?
特性
(典型)
130
100
50
3.5
0
环境 温度 助教(˚c)
最大值 电源 耗散 p
c
(w)
与 无限 散热器
无 散热器
0 25 50 75 100 125 150
0
–15
–10
–5
0 –2 –2.5–1
底座-emittor 电压 v
是
(v)
收集器 电流 我
c
(一个)
(v
ce
=–4v)
125˚c (casetemp)
25˚c (casetemp)
–30˚c (casetemp)
(v
ce
=–4v)
–0.02 –0.1 –0.5 –1 –5 –15–10
10
50
100
200
收集器 电流 我
c
(一个)
直流 电流 增益 h
铁
125˚C
25˚C
–30˚C
–2.0a
v
BB1
(v)
–10
外部 尺寸
mt-100(to3p)
15.6
±0.4
9.6
19.9
±0.3
4.0 2.0
5.0
±0.2
1.8
ø3.2
±0.1
2
3
1.05
+0.2
-0.1
20.0min
4.0max
是
5.45
±0.1
5.45
±0.1
c
4.8
±0.2
0.65
+0.2
-0.1
1.4
2.0
±0.1
一个
b
重量 : 约 6.0g
一个. 类型 否.
b. 批号 否.
15
∗
h
铁
等级 o(50
至
100), y(70
至
140)
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