电源 晶体管
1
出版物 日期: 二月 2003 SJD00001BED
2SA0794
(2sa794)
, 2sa0794a
(2sa794a)
硅 pnp 外延 平面 类型
用于 低频 输出 驾驶员
互补 至 2sc1567, 2sc1567a
■
特点
•
高 集电极-发射极 电压 (底座 打开) v
CEO
•
最佳 用于 这 驾驶员 舞台 的 低频 和 40 w 至 100 w
输出 放大器
•
至-126b 包装 哪个 需要 否 绝缘 板 用于 安装-
操作 至 这 热量 水槽
■
绝对 最大值 额定值
t
一个
=
25
°
c
■
电气 特性
t
一个
=
25
°
c
±
3
°
c
单位: mm
1: 发射器
2: 收集器
3: 底座
至-126b-a1 包装
备注) 1. 测量 方法 是基于 开启 japanese 工业 标准 jis c 7030 测量 方法 用于 晶体管.
2.
*
: 等级 分类
等级 q 右
h
FE1
90 至 155 130 至 220
参数 符号 评级 单位
收集器-底座 电压
2SA0794 v
CBO
−
100 v
(发射器 打开)
2SA0794A
−
120
集电极-发射极 电压
2SA0794 v
CEO
−
100 v
(底座 打开)
2SA0794A
−
120
发射器-底座 电压 (收集器 打开) v
EBO
−
5V
收集器 电流 我
c
−
0.5 一个
峰值 收集器 电流 我
cp
−
1A
收集器 电源 耗散 p
c
1.2 w
接合点 温度 t
j
150
°
c
存储 温度 t
stg
−
55 至
+
150
°
c
参数 符号 条件 最小 典型值 最大值 单位
集电极-发射极 电压
2SA0794 v
CEO
我
c
=
−
100
µ
一个, 我
B
=
0
−
100 v
(底座 打开)
2SA0794A
−
120
发射器-底座 电压 (收集器 打开) v
EBO
我
e?
=
−
1
µ
一个, 我
c
=
0
−
5V
前进 电流 转让 比率 h
FE1
*
v
ce
=
−
10 v, 我
c
=
−
150 ma 90 220
h
FE2
v
ce
=
−
5 v, 我
c
=
−
500 ma 50 100
集电极-发射极 饱和度 电压 v
ce(sat)
我
c
=
−
500 ma, 我
B
=
−
50 ma
−
0.2
−
0.4 v
基极-发射极 饱和度 电压 v
是(sat)
我
c
=
−
500 ma, 我
B
=
−
50 ma
−
0.85
−
1.20 v
过渡 频率 f
t
v
cb
=
−
10 v, 我
e?
=
50 ma, f
=
200 mhz 120 MHz
收集器 输出 电容 c
ob
v
cb
=
−
10 v, 我
e?
=
0, f
=
1 mhz 20 30 pf
(普通 底座, 输入 打开 电路)
备注) 这 零件 编号 入点 这 括号 显示 常规 零件 号码.
8.0
+0.5
–0.1
1.9
±
0.1
3.05
±
0.1
3.8
±
0.3
11.0
±
0.5
16.0
±
1.0
3.2
±
0.2
0.75
±
0.1
0.5
±
0.1
2.3
±
0.2
4.6
±
0.2
0.5
±
0.1
1.76
±
0.1
123
φ
3.16
±
0.1
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