Si3455ADV
vishay siliconix
文件 号码: 71090
s-40424—rev. c, 15-3月-04
www.vishay.com
1
p沟道 30-v (d-s) 场效应晶体管
产品摘要
v
ds
(v) 右
ds(开启)
(
) 我
d
(一个)
−
30
0.100 @ v
gs
=
−
10 v
−
3.5
−
30
0.170 @ v
gs
=
−
4.5 v
−
2.7
(4) s
(3) g
(1, 2, 5, 6) d
p沟道 场效应晶体管
tsop-6
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6
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2
3
5
2.85 mm
3 mm
订购 信息: si3455adv-t1
si3455adv-t1—e3 (铅 免费)
标记 代码: A5xxx
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
c 除非 否则 已注明)
参数 符号 5 秒 稳定 州 单位
漏源 电压 v
ds
−
30
v
栅极-源极 电压 v
gs
20
v
连续 排水管 电流
(t
j
=150
c)
一个
t
一个
= 25
c
我
d
−
3.5
−
2.7
c连续不断 dra入点current
(t
j
=150
c)
一个
t
一个
= 70
c
我
d
−
2.8
−
2.1
一个
脉冲 排水管 电流 我
dm
−
20
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
−
1.7
−
0.95
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 25
c
p
d
2.0 1.14
w最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 70
c
p
d
1.3 0.73
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
−
55 至 150
c
热电阻额定值
参数 符号 典型 最大值 单位
mi j ti tAbit
一个
t
5 秒
右
50 62.5
最大值 交叉点到环境
一个
稳定 州
右
thja
90 110
c/w
最大值 接合点-至-脚 (排水管) 稳定 州 右
thJF
30 36
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 1” x 1” fr4 板.
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