FEATURES
eroflex 电路技术 - 先进的 multichip modules © scd3852 rev 一个 5/20/98
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一个
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一个
B
S
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N
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.
ISO
900
1
电路 技术
www.aeroflex.com
■
4 – 512k x 8 srams &放大; 4 – 512k x 8 flash 消逝 在
一个 mcm
■
进入 时间 的 25ns, 35ns (sram) 和
60ns, 70ns, 90ns (flash)
■
有组织的 作 512k x 32 的 sram 和 512k x 32
的 flash 记忆 和 一般 数据 总线
■
低 电源 cmos
■
输入 和 输出 ttl 兼容 设计
■
mil-prf-38534 一致的 mcms有
■
解耦 电容 和 多样的 grounds 为
低 噪音
■
商业的, 工业的 和 军队温度
范围
■
工业 标准 pinouts
■
ttl 兼容 输入 和 输出
■
包装 – 密封的 陶瓷的
●
66–lead, pga-类型, 1.385"sq x 0.245"最大值,
aeroflex code# "p1,p5 和/没有 shoulders)"
●
68–lead, 双-cavity cqfp(f2), 0.88"sq x
.20"最大值 (.18 最大值 厚度 有, 联系
工厂 为 详细信息)
(drops 在 这 68 含铅的
电子元件工业联合会 .99"sq cqfj footprint)
flash memory feATURES
■
sector architecture (各自 消逝)
●
8 equal sectors 的 64k 字节 各自
●
任何 结合体 的 sectors 能 是 erased 和 一个
command sequence
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+5v programing, +5v 供应
■
embedded 擦掉 和 程序 algorithms
■
硬件 和 软件 写 保护
■
页 程序 运作 和 内部的 程序
控制 时间.
■
10,000 擦掉/程序 循环
块
图解 – pga类型 包装(p1 &放大; p5) &放大; cqfp(f2)
交流T-sf512k32 高 速
multichip 单元
512kx32 sram / 512kx32 flash
OE
FWE
1
SCE
i/o
8-15
i/o
16-23
i/o
0-7
i/o
24-31
512K
X
8 f
L一个SH
一个
0
–A
18
512K
X
8 sram
512K
X
8 f
L一个SH
512K
X
8 sram
512K
X
8 f
L一个SH
512K
X
8 sram
512K
X
8 f
L一个SH
512K
X
8 sram
FCS
SWE
1
FWE
2
SWE
2
FWE
3
SWE
3
FWE
4
SWE
4
管脚 描述
i/o
0-31
数据 i/o
一个
0–18
地址 输入
FWE
1-4
flash 写 使能
SWE
1-4
sram 写 使能
FCE
flash 碎片 使能
SCE
sram 碎片 使能
OE
输出 使能
NC 不 连接
V
CC
电源 供应
地 地面