rev. B
一个
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ADN2850
*
非挥发性 记忆, 双
1024-位置 可编程 电阻
功能 块 图表
地址
解码
ADN2850
右DAC1
串行
接口
cs
clk
SDI
SDO
公共关系
WP
RDY
v
dd
v
ss
地
右DAC1
注册
EEMEM1
右DAC2
注册
EEMEM2
26 字节数
用户 eemem
pwr 开启
预置
EEMEM
控制
W1
B1
右DAC2
W2
B2
电流
显示器
我
1
我
2
v
1
v
2
代码 – 十进制
100
75
0
0 1023256
右
WB
(d) – % 的 满量程 右
WB
512 768
50
25
图 1. 右
WB
(d) vs. 十进制 代码
特点
双, 1024-位置 分辨率
25 k
, 250 k
满量程 电阻
低 温度 系数: 35 ppm/
c
非挥发性 记忆
1
预置 维护 雨刮器 设置
永久 记忆 写保护
雨刮器 设置 阅读 背面
实际 公差 已存储 入点 eemem
1
线性 增量/递减
日志 taper 增量/递减
spi 兼容 串行 接口
3 v 至 5 v 单独 供应 或
2.5 v 双 供应
26 字节数 用户 非挥发性 记忆 用于 常数 存储
电流 监测 可配置 功能
100-年份 典型 数据 保留 t
一个
= 55
c
应用程序
sonet, sdh, atm, gigabit 以太网, dwdm 激光
二极管 驾驶员 光学 监督 系统
概述 描述
这 adn2850 提供 双-频道, 数字 受控 程序-
mable电阻
2
与 分辨率 的 1024 职位. 这些 设备
执行 这 相同 电子 调整 功能 作为 一个 机械
变阻器 与 增强型 分辨率, 固态 可靠性, 和
上级 低 温度 系数 业绩. 这 adn2850’s
多才多艺 编程 通过 一个 标准 串行 接口 允许
16 模式 的 操作 和 调整, 包括 划痕 衬垫 专业版-
gramming, 记忆 存储 和 正在检索, 增量/递减,
日志 taper 调整, 雨刮器 设置 回读, 和 额外的 用户
已定义 eemem
1
.
另一个 钥匙 功能 的 这 adn2850 是 那 这 实际 公差
是 已存储 入点 这 eemem.这实际 满量程 电阻 可以
因此 是 已知, 哪个 是 有价值的 用于 公差 匹配
和 校准.
入点 这 划痕 衬垫 编程 模式, 一个 具体 设置 可以 是
编程 直接 至 这 rdac
2
注册, 哪个 集 这 resis-
付款之间 接线端子 w 和 b. 这 rdac 注册 可以 也
是 已加载 与 一个 值 先前 已存储 入点 这 eemem 注册.
这 值 入点 这 eemem 可以 是 已更改 或 保护. 当
变更 是 制造 至 这 rdac 注册, 这 值 的 这 新建
设置 可以 是 已保存 进入 这 eemem. 此后, 这样的 值 将
是 已转移 自动 至 这 rdac 注册 期间 系统
电源 开启, 哪个 是 已启用 由 这 内部 预置 频闪.
eemem 可以 也 是 已检索 通过 直接 编程 和
外部 预置 管脚 控制.
这 线性 步骤 增量 和 递减 命令 启用 这
设置 入点 这 rdac 注册 至 是 已移动 向上 或 向下, 一个 步骤
在 一个 时间. 用于 对数 变更 入点 雨刮器 设置, 一个 左/右侧
有点 轮班 命令 调整 这 水平 入点
±
6 db 步骤.
这 adn2850 是 可用 入点 这 5 mm
5 mm 16-铅 框架 芯片
缩放 lfcsp 和 薄 16-铅 tssop 软件包. 全部 零件 是
保证 至 操作 结束 这 扩展 工业 温度
范围 的 –40
°
c 至 +85
°
c.
*
专利 待定
备注
1
这 期限 非挥发性 记忆 和 eemem 是 已使用 可互换.
2
这 期限 可编程 电阻 和 rdac 是 已使用 可互换.
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