1
特性
•
单独的 电压 运作
– 5v 读
– 5v reprogramming
•
快 读 进入 时间 - 90 ns
•
内部的 程序 控制 和 计时器
•
16k 字节 激励 块 和 lockout
•
快 擦掉 循环 时间 - 10 秒
•
字节-用-字节 程序编制 - 10
µ
s/字节 典型
•
硬件 数据 保护
•
数据polling 为 终止 的 程序 发现
•
低 电源 消耗
– 50 毫安 起作用的 电流
– 100
µ
一个 cmos 备用物品 电流
•
典型 10,000 写 循环
描述
这 at49f080 是 一个 5-volt-仅有的 在-系统 flash 记忆 设备. 它的 8-megabits 的
记忆 是 有组织的 作 1,024,576 words 用 8-位. 制造的 和 atmel’s
先进的 nonvolatile cmos 技术, 这 设备 提供 进入 时间 至 90 ns 和
电源 消耗 的 just 275 mw 在 这 商业的 温度 范围. 当 这
设备 是 deselected, 这 cmos 备用物品 电流 是 较少 比 100
µ
一个.
这 设备 包含 一个 用户-使能 “boot block” 保护 特性. 二 版本 的
这 特性 是 有: 这 at49f080 locates 这 激励 块 在 最低 顺序
地址 (“bottom boot”); 这 at49f080t locates 它 在 最高的 顺序 地址 (“top
boot”).
8-megabit
(1m x 8)
5-volt 仅有的
Flash
记忆
AT49F080
AT49F080T
at49f080/080t
0584b-a–8/97
管脚 配置
管脚 名字 函数
a0 - a19 地址
CE
碎片 使能
OE 输出 使能
我们
写 使能
重置
重置
rdy/busy 准备好/busy输出
i/o0 - i/o7 数据 输入/输出
NC 非 连接
cbga 顶 视图
一个
B
C
D
E
F
1
234567
A5
A4
A6
A3
A2
A1
A8
A7
A9
i/o1
A0
i/o0
A11
A10
RST
NC
i/o3
i/o2
NC
VCC
CE
VCC
地
地
A12
A13
A14
i/o4
i/o6
i/o5
A15
NC
A16
i/o7
OE
ry/用
A17
A18
A19
NC
NC
我们
(持续)
SOIC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
重置
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
NC
NC
A3
A2
A1
A0
i/o0
i/o1
i/o2
i/o3
地
地
VCC
CE
A12
A13
A14
A15
A16
A17
A18
A19
NC
NC
NC
NC
我们
OE
rdy/busy
i/o7
i/o6
i/o5
i/o4
VCC
tsop 顶 视图
类型1
A17
A16
A14
A15
A12
CE
A13
A10
A8
A9
重置
A11
NC
VCC
1
2
4
3
6
5
10
9
7
8
14
13
11
12
i/o2
i/o3
i/o1
i/o0
VCC
i/o4
地
地
i/o6
i/o5
rdy/busy
i/o7
OE
我们
33
32
30
31
28
27
29
36
34
35
38
37
39
40
25
26
A1
A0
15
16
A7
A6
A5
20
19 A2
A3
22
21
23
2417
18
A4
A19
A18
NC
NC
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