1
4-兆位
(512k x 8)
单独 2.7-电压
电池电压
™
闪光灯 记忆
AT49BV040
AT49LV040
特点
•
单独 电压 用于 阅读 和 写: 2.7v 至 3.6v (bv), 3.0v 至 3.6v (lv)
•
快 阅读 访问权限 时间
–
70 ns
•
内部 程序 控制 和 计时器
•
16k 字节数 引导 块 与 上锁
•
快 芯片 擦除 循环 时间
–
10 秒
•
逐字节 编程
–
30 µs/字节 典型
•
硬件 数据 保护
•
数据轮询 用于 结束 的 程序 检测
•
低 电源 耗散
–
25 ma 活动 电流
–
50 µa cmos 备用 电流
•
典型 10,000 写 循环次数
•
小 包装
–
8 x 14 mm vsop/tsop
描述
这 at49bv/lv040 是 3-电压 仅, 4-兆位 闪光灯 回忆 有组织的 作为 524,288
字词 的 8-比特 每个. 已制造 与 atmel
’
s 高级 非挥发性 cmos 技术-
ogy, 这 设备 报价 访问权限 次 至 70 ns 与 电源 耗散 的 只是 90 mw 结束
这 商业 温度 范围. 当 这 设备 是 取消选择, 这 cmos
备用 电流 是 较少 比 50 µa.
这 设备 包含 一个 用户-已启用
“
引导 块
”
保护 功能. 这
at49bv/lv040 定位 这 引导 块 在 最低 订单 地址 (
“
底部 引导
”
).
rev. 0679d
–
03/01
管脚 配置
管脚 姓名 功能
a0 - a18 地址
ce
芯片 启用
oe
输出 启用
我们
写 启用
我/o0 - 我/o7 数据 输入/产出
plcc 顶部 查看
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ce
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地
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VCC
我们
A17
vsop 顶部 查看 (8 x 14 mm) 或
tsop 顶部 查看 (8 x 20 mm)
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ce
我/o7
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地
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A2
A3
(续)
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