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特点
•
单独 电压 操作
–5v 阅读
– 5v 编程
•
快 阅读 访问权限 时间 - 55 ns
•
内部 擦除/程序 控制
•
部门 体系结构
– 一个 8k 字词 (16k 字节数) 引导 块 与 编程 上锁
– 两个 4k 字词 (8k 字节数) 参数 块
– 一个 240k 字词 (480k 字节数) 主 记忆 阵列 块
•
快 部门 擦除 时间 - 10 秒
•
逐字节 或 逐字逐句 编程 - 10
µ
s 典型
•
硬件 数据 保护
•
数据轮询 用于 结束 的 程序 检测
•
低功耗 耗散
– 50 ma 活动 电流
– 300
µ
一个 cmos 备用 电流
•
典型 10,000 写 循环次数
描述
这 at49f004(t) 和 at49f4096a(t) 是 5-电压, 4-兆位 闪光灯 回忆 orga-
nized 作为 524,288 字词 的 8 比特 每个 或 256k 字词 的 16 比特 每个. 已制造
与 atmel’s 高级 非挥发性 cmos 技术, 这 设备 报价 访问权限 次
至 55 ns 与 电源 耗散 的 只是 275 mw. 当 取消选择, 这 cmos 备用
电流 是 较少 比 300
µ
一个.
这 设备 包含 一个 用户-已启用 “boot block” 保护 功能. 两个 版本 的
这 功能 是 可用: 这 at49f004/4096a 定位 这 引导 块 在 最低 订单
地址 (“bottom boot”); 这 at49f004t/4096at 定位 它 在 最高 订单
地址 (“top boot”).
至 允许 用于 简单 在系统内 可重新编程性, 这 at49f004(t)/4096a(t) 是否 不
需要 高 输入 电压 用于 编程. 阅读 数据 出点 的 这 设备 是 类似
至 阅读 从 一个 非易失存储器; 它 有 标准 ce
, oe, 和 我们 输入 至 避免 总线 con-
张力. 重新编程 这 at49f004(t)/4096a(t) 是 执行 由 第一 擦除 一个
4-兆位
(512k x 8/
256k x 16)
cmos 闪光灯
记忆
AT49F004
AT49F004T
AT49F4096A
AT49F4096AT
初步
rev. 1167a–09/98
管脚 配置
管脚 姓名 功能
a0 - a18 地址
ce
芯片 启用
oe
输出 启用
我们 写 启用
重置
重置
rdy/忙
准备就绪/忙输出
我/o0 - 我/o14 数据 输入/产出
我/o15(一个-1)
我/o15 (数据 输入/输出, 字 模式)
一个-1 (lsb 地址 输入, 字节 模式)
字节
选择 字节 或 字 模式
nc 否 连接
(续)
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