©2002 仙童 半导体 公司 rev. a1, 8月 2002
BC184C
绝对 最大 比率
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
电的 特性
T
C
=25
°
c 除非 否则 指出
注释:
1. 这些 比率 是 限制的 值 在之上 这个 这 serviceability 的 任何 半导体 设备 将 是 impaired.
2. 这些 是 稳步的 状态 限制. 这 工厂 应当 是 consulted 在 产品 involving 搏动 或者 低 职责 循环 行动.
3. 这些 比率 是 为基础 在 一个 最大 接合面 温度 的 150degrees c.
标识 参数 值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 45 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 30 V
V
EBO
发射级-根基 电压 5 V
I
C
集电级 电流 (直流) 500 毫安
P
C
集电级 消耗 (t
一个
=25
°
c) (便条 2, 3) 350 mW
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 - 55 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
CBO
集电级-根基 电压 I
C
= 10
µ
A45V
BV
CEO
集电级-发射级 电压 I
C
= 2ma 30 V
BV
EBO
发射级-根基 电压 I
E
= 10
µ
A5V
I
CBO
集电级 截-止 电流 V
CB
= 30v 15 nA
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
= 4v 15 nA
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
= 5v, i
C
= 10
µ
一个
V
CE
= 5v, i
C
= 2ma
V
CE
= 5v, i
C
= 100ma
100
250
130
800
V
CE
(sat) 集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 10ma, i
B
= 0.5ma
I
C
= 100ma, i
B
= 5ma
0.6
0.25
V
V
是
(sat) 根基-发射级 饱和 电压 I
C
= 100ma, i
B
= 5ma 1.2 V
V
是
(在) 根基-发射级 在 电压 V
CE
= 5v, i
C
= 2ma 0.55 0.7 V
C
OB
输出 电容 V
CE
= 10v, f = 1mhz 5 pF
f
T
电流 增益 带宽 产品 V
CE
= 5v, i
C
= 10ma
f = 100mhz
150 MHz
h
FE
小 信号 电流 增益 V
CE
= 5v, i
C
= 2ma
f = 1khz
240 900
NF 噪音 图示 V
CE
= 5v, i
C
= 200ma
R
G
= 2k
Ω
, f = 30hz ~ 15khz
V
CE
= 5v, i
C
= 200
µ
一个,
f = 1khz
4
4
dB
BC184C
硅 npn 小 信号 晶体管
(便条 1)
•BV
CEO
= 30v (最小值.)
•h
FE
= 130 (最小值.) @v
CE
= 5.0v, i
C
= 100ma
1. 集电级 2. 根基 3. 发射级
至-92
1
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