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资料编号:971207
 
资料名称:BC847B
 
文件大小: 216K
   
说明
 
介绍:
NPN Silicon AF Transistors
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号BC847B的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
bc847b / bc847c
晶体管
1/1
npn 概述 目的 晶体管
bc847b / bc847c
!
!!
!
特点
1) bv
CEO
&指示灯;
45v (我
c
=
1ma)
2) 补件 这 bc857b.
!
!!
!
包装, 标记, 和 包装 规格
BC847C
SST3
G1G
T116
3000
BC847B
SST3
G1F
T116
3000
零件 否.
包装 类型
标记
代码
基本 订购 单位 (件)
!
!!
!
外部 尺寸
(单位 : mm)
rohm : sst3 (1) 发射器
(2) 底座
(3) 收集器
0~0.1
0.2min.
2.4
±
0.2
1.3
0.95
0.45
±
0.1
0.15
0.4
2.9
±
0.2
1.9
±
0.2
0.95
0.95
+
0.2
0.1
0.1
+
0.2
+
0.1
0.06
+
0.1
0.05
(2)
(1)
(3)
全部 接线端子 有 这 相同 尺寸
!
!!
!
(助教=25
°
c)
参数 符号
v
CBO
v
CEO
v
EBO
c
Tj
Tstg
限制
50
45
6
0.1
0.35
150
55~
+
150
单位
v
v
v
一个
p
c
0.2
w
°
c
°
c
收集器-底座 电压
集电极-发射极 电压
发射器-底座 电压
收集器 电流
接合点 温度
存储 温度
收集器 电源 耗散
当 已安装 开启 一个 7
×
5
×
0.6mm 陶瓷 板.
!
!!
!
电气 特性
(助教=25
°
c)
参数
最小值 典型值 最大值
单位 条件
50
45
6
15
5
v
v
v
µ
一个
不适用
c
=
50
µ
一个
c
=
1mA
e?
=
50
µ
一个
v
cb
=
30V
v
cb
=
30v, 助教
=
150
°
c
0.58
0.77
v
−−
0.6
c
/我
B
=
100ma/5ma
−−
0.25
v
c
/我
B
=
10ma/0.5ma
v
ce
/我
c
=
5v/10ma
v
ce
/我
c
=
5v/2ma bc847b
200 450
v
ce
/我
c
=
5v/2ma bc847c
420 800
200
3
MHz
pf
v
ce
=
5v, 我
e?
=−
20ma, f
=
100MHz
v
cb
=−
10v, 我
e?
=
0, f
=
1MHz
符号
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
CBO
v
是(开启)
v
ce(sat)
h
f
t
Cob
Cib
8
pf v
eb
=
0.5v, 我
c
=
0, f
=
1MHz
收集器-底座 击穿 电压
集电极-发射极 击穿 电压
发射器-底座 击穿 电压
收集器 截止 电流
基极-发射极 饱和度 电压
集电极-发射极 饱和度 电压
直流 电流 转让 比率
过渡 频率
收集器 输出 电容
发射器 输入 电容
!
!!
!
电气 特性 曲线
这 电气 特性 曲线 用于 这些 产品 是 这 相同 作为 那些 的 umt222a, sst222a, mmst2222a 和
pn2222a.
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