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摩托罗拉 small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
概述 目的 晶体管
npn 硅
最大值 额定值
评级 符号 BC846
BC847
BC850
BC848
BC849
单位
收集器– 发射器 电压 v
CEO
65 45 30 v
收集器– 底座 电压 v
CBO
80 50 30 v
发射器– 底座 电压 v
EBO
6.0 6.0 5.0 v
收集器 电流 — 连续 我
c
100 100 100 mAdc
热 特性
特性 符号 最大值 单位
合计 设备 耗散 fr–5 板, (1)
t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
225
1.8
mW
mw/
°
c
热 电阻, 接合点 至 环境
右
q
ja
556
°
c/w
合计 设备 耗散
氧化铝 基材, (2) t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
300
2.4
mW
mw/
°
c
热 电阻, 接合点 至 环境
右
q
ja
417
°
c/w
接合点 和 存储 温度 t
j
, t
stg
– 55 至 +150
°
c
设备 标记
bc846alt1 = 1a; bc846blt1 = 1b; bc847alt1 = 1e; bc847blt1 = 1f;
bc847clt1 = 1g; bc848alt1 = 1j; bc848blt1 = 1k; bc848clt1 = 1l
电气 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
特性
符号 最小 典型值 最大值 单位
关 特性
收集器– 发射器 击穿 电压 bc846a,b
(我
c
= 10 ma) bc847a,b,c, bc850a,b,c
bc848a,b,c, bc849a,b,c
v
(br)ceo
65
45
30
—
—
—
—
—
—
v
收集器– 发射器 击穿 电压 bc846a,b
(我
c
= 10
µ
一个, v
eb
= 0) bc847a,b,c, bc850a,b,c
bc848a,b,c, bc849a,b,c
v
(br)消费电子展
80
50
30
—
—
—
—
—
—
v
收集器– 底座 击穿 电压 bc846a,b
(我
c
= 10
m
一个) bc847a,b,c, bc850a,b,c
bc848a,b,c, bc849a,b,c
v
(br)cbo
80
50
30
—
—
—
—
—
—
v
发射器– 底座 击穿 电压 bc846a,b
(我
e?
= 1.0
m
一个) bc847a,b,c
bc848a,b,c, bc849a,b,c, bc850a,b,c
v
(br)ebo
6.0
6.0
5.0
—
—
—
—
—
—
v
收集器 截止 电流 (v
cb
= 30 v)
(v
cb
= 30 v, t
一个
= 150
°
c)
我
CBO
—
—
—
—
15
5.0
不适用
µ
一个
1. fr–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 入点 2. 氧化铝 = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.
热 包层 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司.
首选
设备 是 摩托罗拉 推荐 选择 用于 未来 使用 和 最好 总体 值.
订单 这个 文件
由 bc846alt1/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
bc846alt1,blt1
bc847alt1,
blt1,clt1 直通
bc850alt1,blt1,
CLT1
bc846, bc847 和 bc848 是
摩托罗拉 首选 设备
1
2
3
案例 318 – 08, 风格 6
SOT– 23 (至 – 236ab)
摩托罗拉, 公司 1996
收集器
3
1
底座
2
发射器
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