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资料编号:971238
 
资料名称:BC849BLT1
 
文件大小: 183K
   
说明
 
介绍:
General Purpose Transistors(NPN Silicon)
 
 


: 点此下载
 
1
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6
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组件 行业, llc, 2004
六月, 2004 − rev. 6
1
出版物 订单 号码:
bc846alt1/d
bc846alt1 系列
bc846, bc847 和 bc848 是 首选 设备
概述 目的
晶体管
npn 硅
特点
pb−free 软件包 是 可用
水分 灵敏度 水平: 1
esd 评级 − 人类 车身 型号: >4000 v
esd 评级− 机器 型号: >400 v
最大值 额定值
评级 符号 单位
集电极-发射极 电压
BC846
bc847, bc850
bc848, bc849
v
CEO
65
45
30
Vdc
collector−base 电压
BC846
bc847, bc850
bc848, bc849
v
CBO
80
50
30
Vdc
emitter−base 电压
BC846
bc847, bc850
bc848, bc849
v
EBO
6.0
6.0
5.0
Vdc
收集器 电流 − 连续
c
100 mAdc
最大值 额定值 是 那些 数值 超越 哪个 设备 损伤 可以 发生.
最大值 额定值 已应用 至 这 设备 是 个人 应力 限制 数值 (不
是 超过, 设备 功能 操作 是 不 默示, 损伤 将 发生
和 可靠性 将 是 受影响.
热 特性
特性 符号 最大值 单位
合计 设备 耗散 fr− 5 板,
(备注 1)
t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
225
1.8
mW
mw/
°
c
热 电阻,
junction−to−ambient (备注 1)
ja
556
°
c/w
合计 设备 耗散
氧化铝 基材 (备注 2)
t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
300
2.4
mW
mw/
°
c
热 电阻,
junction−to−ambient (备注 2)
ja
417
°
c/w
接合点 和 存储
温度 范围
t
j
, t
stg
55 至
+150
°
c
1. FR−5 = 1.0
0.75
0.062 入点.
2. 氧化铝 = 0.4
0.3
0.024 入点 99.5% 氧化铝.
SOT−23
案例 318
风格 6
标记 图表
xxD
1
2
3
首选
设备 是 推荐 选择 用于 未来 使用
和 最好 总体 值.
收集器
3
1
底座
2
发射器
http://onsemi.com
xx = 具体 设备 代码
d = 日期 代码
请参见 详细 订购 和 装运 信息 入点 这 包装
尺寸 截面 开启 第页 5 的 这个 数据 工作表.
订购 信息
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