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©
1995
mos 综合 电路
µ
pd431000a-x
1m-有点 cmos 静态 ram
128k-字 由 8-有点
扩展 温度 操作
数据 工作表
文件 否. m10430ej9v0ds00 (9th 版本)
日期 已发布 april 2002 ns cp (k)
已打印 入点 日本
这 标记
★
显示 专业 修订 点数.
描述
这
µ
pd431000a-x 是 一个 高 速度, 低 电源, 和 1,048,576 比特 (131,072 字词 由 8 bits) cmos 静态 ram.
这
µ
pd431000a-x 有 两个 芯片 启用 针脚 (/ce1, ce2) 至 扩展 这 容量. 和 蓄电池 备份 是 available.
入点 加法 至 这个, 一个 和 b 版本 是 低 电压 运营.
这
µ
pd431000a-x 是 已包装 入点 32-管脚 塑料 sop, 32-管脚 塑料 tsop (i)
(8
×
13.4 mm) 和 (8
×
20 mm).
特点
•
131,072 字词 由 8 比特 组织机构
•
快 访问权限 时间: 70, 85, 100, 120, 150 ns (max.)
•
低 电压 操作 (一个 版本: v
抄送
= 3.0 至 5.5 v, b 版本: v
抄送
= 2.7 至 5.5 v)
•
操作 环境 温度: t
一个
= –25 至 +85
°
c
•
低 v
抄送
数据 保留: 2.0 v (最小.)
•
输出 启用 输入 用于 容易 应用程序
•
两个 芯片 启用 输入: /ce1, ce2
零件 号码 访问权限 时间 操作 供应 操作 环境 供应 电流
ns (最大值.) 电压 温度 在 操作 在 备用 在 数据 保留
v °C ma (最大值.)
µ
一个 (最大值.)
µ
一个 (最大值.)
Note1
µ
pd431000a-xxx 70, 85 4.5 至 5.5 –25 至 +85 70 50 2.5
µ
pd431000a-axxx 70
Note2
, 100 3.0 至 5.5 35
Note3
26
Note5
µ
pd431000a-bxxx 70
Note2
, 100, 120, 150 2.7 至 5.5 30
Note4
22
Note6
备注 1.
t
一个
≤
40
°
c
2.
v
抄送
= 4.5 至 5.5 v
3.
70 ma (v
抄送
> 3.6 v)
4.
70 ma (v
抄送
> 3.3 v)
5.
50
µ
一个 (v
抄送
> 3.6 v)
6.
50
µ
一个 (v
抄送
> 3.3 v)
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