512k x 16 静态的 内存
cy62157cv18 mobl2™
Cypress 半导体 公司
• 3901 北 第一 街道 • San Jose • ca 95134 • 408-943-2600
文档 #: 38-05012 rev. *c 修订 october 31, 2001
特性
•
高 速
—
55 ns 和 70 ns 有效性
•
低 电压 范围:
—
cy62157cv18: 1.65v
–
1.95v
•
过激-低 起作用的 电源
—
典型 起作用的 电流: 0.5 毫安 @ f = 1 mhz
—
典型 起作用的 电流: 4 毫安 @ f = f
最大值
(70 ns 速)
•
低 备用物品 电源
•
容易 记忆 expansion 和 ce
1
, ce
2
和 oe特性
•
自动 电源-向下 当 deselected
•
cmos 为 最佳的 速/电源
函数的 描述
这 cy62157cv18 是 一个 高-效能 cmos 静态的 内存
有组织的 作 512k words 用 16 位. 这个 设备 特性 ad-
vanced 电路 设计 至 提供 过激-低 起作用的 电流. 这个
是 完美的 为 供应 更多 电池 生命
™
(mobl
™
) 在 可携带的
产品 此类 作 cellular telephones. 这 设备 也 有
一个 自动 电源-向下 特性 那 significantly 减少
电源 消耗量 用 99% 当 地址 是 不 toggling.
这 设备 能 也 是 放 在 备用物品 模式 当 deselect-
ed (ce
1
高 或者 ce
2
低 或者 两个都 bhe和 ble是 高).
这 输入/输出 管脚 (i/o
0
通过 i/o
15
) 是 放置 在 一个
高-阻抗 状态 当: deselected (ce
1
高 或者 ce
2
低), 输出 是 无能 (oe高), 两个都 字节 高 使能
和 字节 低 使能 是 无能 (bhe, ble高), 或者 在
一个 写 运作 (ce
1
低, ce
2
高 和 我们低).
writing 至 这 设备 是 accomplished 用 带去 碎片 使能
(ce
1
低 和 ce
2
高) 和 写 使能 (我们) 输入
低. 如果 字节 低 使能 (ble
) 是 低, 然后 数据 从 i/o 管脚
(i/o
0
通过 i/o
7
), 是 写 在 这 location 指定 在 这
地址 管脚 (一个
0
通过 一个
18
). 如果 字节 高 使能 (bhe) 是
低, 然后 数据 从 i/o 管脚 (i/o
8
通过 i/o
15
) 是 写 在
这 location 指定 在 这 地址 管脚 (一个
0
通过 一个
18
).
读 从 这 设备 是 accomplished 用 带去 碎片 en-
能 (ce
1
低 和 ce
2
高) 和 输出 使能 (oe) 低
当 forcing 这 写 使能 (我们
) 高. 如果 字节 低 使能
(ble
) 是 低, 然后 数据 从 这 记忆 location 指定
用 这 地址 管脚 将 呈现 在 i/o
0
至 i/o
7
. 如果 字节 高
使能 (bhe
) 是 低, 然后 数据 从 记忆 将 呈现 在
i/o
8
至 i/o
15
. 看 这 真实 表格 在 这 后面的 的 这个 数据手册
为 一个 完全 描述 的 读 和 写 模式.
这 cy62157cv18 是 有 在 一个 48-球 fbga 包装.
mobl, mobl2, 和 更多 电池 生命 是 商标 的 cypress 半导体 公司.
逻辑 块 图解
512k x 16
内存 排列
i/o
0
–
i/o
7
行 解码器
一个
8
一个
7
一个
6
一个
5
一个
2
column 解码器
一个
11
一个
12
一个
13
一个
14
一个
15
2048 x 4096
sense 放大器
数据 在 驱动器
OE
一个
4
一个
3
i/o
8
–
i/o
15
我们
BLE
BHE
一个
16
一个
0
一个
1
一个
17
一个
9
一个
18
一个
10
电源
-
向下
电路
BHE
BLE
CE
2
CE
1
CE
2
CE
1
: 点此下载
