512k x 16 静态的 内存
cy62157cv25/30/33
MoBL™
Cypress 半导体 公司
• 3901 北 第一 街道 • San Jose • ca 95134 • 408-943-2600
文档 #: 38-05014 rev. *c 修订 april 23, 2002
特性
•
高 速
—
55 ns 和 70 ns 有效性
•
电压 范围:
—
cy62157cv25: 2.2v
–
2.7v
—
cy62157cv30: 2.7v
–
3.3v
—
cy62157cv33: 3.0v
–
3.6v
•
过激-低 起作用的 电源
—
典型 起作用的 电流: 1.5 毫安 @ f = 1 mhz
—
典型 起作用的 电流: 5.5 毫安 @ f = f
最大值
(70 ns 速)
•
低 备用物品 电源
•
容易 记忆 expansion 和 ce
1
, ce
2
和 oe特性
•
自动 电源-向下 当 deselected
•
cmos 为 最佳的 速/电源
函数的 描述
这 cy62157cv25/30/33 是 高-效能 cmos 静态的
rams 有组织的 作 512k words 用 16 位. 这些 设备
特性 先进的 电路 设计 至 提供 过激-低 起作用的 cur-
rent. 这个 是 完美的 为 供应 更多 电池 生命
™
(mobl
™
)
在 可携带的 产品 此类 作 cellular telephones. 这 de-
vices 也 有 一个 自动 电源-向下 特性 那 signifi-
cantly 减少 电源 消耗量 用 80% 当 地址
是 不 toggling. 这 设备 能 也 是 放 在 备用物品 模式
减少 电源 消耗量 用 更多 比 99% 当 dese-
lected (ce
1
高 或者 ce
2
低 或者 两个都 ble和 bhe是
高). 这 输入/输出 管脚 (i/o
0
通过 i/o
15
) 是 放置
在 一个 高-阻抗 状态 当: deselected (ce
1
高 或者
CE
2
低), 输出 是 无能 (oe高), 两个都 字节 高
使能 和 字节 低 使能 是 无能 (bhe
, ble高),
或者 在 一个 写 运作 (ce
1
低 和 ce
2
高 和 我们
低).
writing 至 这 设备 是 accomplished 用 带去 碎片 使能 1
(ce
1
) 和 写 使能 (我们) 输入 低 和 碎片 使能 2
(ce
2
) 高. 如果 字节 低 使能 (ble) 是 低, 然后 数据 从
i/o 管脚 (i/o
0
通过 i/o
7
), 是 写 在 这 location speci-
fied 在 这 地址 管脚 (一个
0
通过 一个
18
). 如果 字节 高 使能
(bhe
) 是 低, 然后 数据 从 i/o 管脚 (i/o
8
通过 i/o
15
) 是
写 在 这 location 指定 在 这 地址 管脚 (一个
0
通过 一个
18
).
读 从 这 设备 是 accomplished 用 带去 碎片
使能 1 (ce
1
) 和 输出 使能 (oe) 低 和 碎片 使能
2 (ce
2
) 高 当 forcing 这 写 使能 (我们) 高. 如果
字节 低 使能 (ble
) 是 低, 然后 数据 从 这 记忆
location 指定 用 这 地址 管脚 将 呈现 在 i/o
0
至
i/o
7
. 如果 字节 高 使能 (bhe) 是 低, 然后 数据 从 mem-
ory 将 呈现 在 i/o
8
至 i/o
15
. 看 这 真实 表格 在 这 后面的
的 这个 数据 薄板 为 一个 完全 描述 的 读 和 写
模式.
这 cy62157cv25/30/33 是 有 在 一个 48-球 fbga
包装.
逻辑 块 图解
512K
×
16
内存 排列
i/o
0
–
i/o
7
行 解码器
一个
8
一个
7
一个
6
一个
5
一个
2
column 解码器
一个
11
一个
12
一个
13
一个
14
一个
15
2048
×
4096
sense 放大器
数据 在 驱动器
OE
一个
4
一个
3
i/o
8
–
i/o
15
我们
BLE
BHE
一个
16
一个
0
一个
1
一个
17
一个
9
一个
18
一个
10
电源 -向下
电路
BHE
BLE
CE
2
CE
1
CE
2
CE
1
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