8-mbit (512k x 16) mobl
St一个ticR一个M
CY62157DV30
MoBL
®
Cypress 半导体 公司
• 3901 北 第一 街道 • San Jose
,
ca 95134 •
408-943-2600
文档 #: 38-05392 rev. *e 修订 8月 24, 2004
特性
• 温度 范围
— 工业的: –40°c 至 85°c
— automotive: –40°c 至 125°c (初步的)
• 非常 高 速: 45 ns, 55 ns 和 70 ns
• 宽 电压 范围: 2.20v – 3.60v
• 管脚-兼容 和 cy62157cv25, cy62157cv30, 和
CY62157CV33
• 过激-低 起作用的 电源
— 典型 起作用的 电流: 1.5 毫安 @ f = 1 mhz
— 典型 起作用的 电流: 12 毫安 @ f = f
最大值
• 过激-低 备用物品 电源
• 容易 记忆 expansion 和 ce
1
, ce
2
, 和 oe
特性
• 自动 电源-向下 当 deselected
• cmos 为 最佳的 速/电源
• 包装 offered: 48-球 bga, 48-管脚 tsopi, 和
44-管脚 tsopii
函数的 描述
[1]
这 cy62157dv30 是 一个 高-performance cmos 静态的 内存
有组织的 作 512k words 用 16位. 这个 设备 特性
先进的 电路 设计 至 提供 过激-低 起作用的 电流.
这个 是 完美的 为 供应 更多 电池 生命
(mobl
®
) 在
可携带的 产品 此类 作 cellular telephones.这 设备
也 有 一个 自动 电源-down 特性 那 significantly
减少 电源 消耗量. 这 设备 能 也 是 放 在
备用物品 模式 当 deselected (ce
1
高 或者 ce
2
低 或者
两个都 bhe
和 ble是 高). 这 输入/输出 管脚 (i/o
0
通过 i/o
15
) 是 放置 在 一个 高-阻抗 状态 当:
deselected (ce
1
高 或者 ce
2
低), 输出 是 无能 (oe
高), 两个都 字节 高 使能 和 字节 低 使能 是
无能 (bhe
, ble高), 或者 在 一个 写 运作 (ce
1
低, ce
2
高 和 我们低).
writing 至 这 设备 是 accomplished 用 带去 碎片 使能
(ce
1
低 和 ce
2
高) 和 写 使能 (我们) 输入 低.
如果 字节 低 使能 (ble
) 是 低, 然后 数据 从 i/o 管脚 (i/o
0
通过 i/o
7
), 是 写 在 这 location 指定 在 这
地址 管脚 (一个
0
通过 一个
18
). 如果 字节 高 使能 (bhe) 是
低, 然后 数据 从 i/o 管脚 (i/o
8
通过 i/o
15
) 是 写 在
这 location 指定 在 这 地址 管脚 (一个
0
通过 一个
18
).
读 从 这 设备 是 accomplished 用 带去 碎片
使能 (ce
1
低 和 ce
2
高) 和 输出 使能 (oe)
低 当 forcing 这 写 使能 (我们
) 高. 如果 字节 低
使能 (ble
) 是 低, 然后 数据 从 这 记忆 location
指定 用 这 地址 管脚 将 呈现 在 i/o
0
至 i/o
7
. 如果 字节
高 使能 (bhe
) 是 低, 然后 数据 从 记忆 将 呈现
在 i/o
8
至 i/o
15
. 看 这 真实 表格 为 一个 完全 描述
的 读 和 写 模式.
注释:
1. 为 最好的 实践 recommendations, 请 refer 至 这 cypress 应用 便条 entitled
系统 设计 指导原则
, 这个 是 有 在
http://www.cypress.com.
逻辑 块 图解
512k × 16
内存 排列
i/o0 – i/o7
行 解码器
一个
8
一个
7
一个
6
一个
5
一个
2
column 解码器
一个
11
一个
12
一个
13
一个
14
一个
15
sense 放大器
数据-在 驱动器
OE
一个
4
一个
3
i/o8 – i/o15
我们
BLE
BHE
一个
16
一个
0
一个
1
一个
17
一个
9
一个
18
一个
10
电源-向下
电路
CE
2
CE
1
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