1m x 16 静态 ram
CY7C1061AV33
柏树 半导体 公司
• 3901 北 第一 街道 • San Jose • ca 95134 • 408-943-2600
文件 #: 38-05256 rev. *d 修订 二月 21, 2003
特点
• 高 速度
—t
AA
= 8, 10, 12 ns
• 低 活动 电源
— 1080 mw (最大值.)
• 操作 电压 的 3.3 ± 0.3v
• 2.0v 数据 保留
• 自动 掉电 当 取消选择
• ttl-兼容 输入 和 产出
• 容易 记忆 扩展 与 ce
1
和 ce
2
特点
功能 描述
这 cy7c1061av33 是 一个 高性能 cmos 静态
ram 有组织的 作为 1,048,576 字词 由 16 比特.
写作 至 这 设备 是 已完成 由 启用 这 芯片
(ce
1
低 和 ce
2
高) 同时 强迫 这 写 启用
(我们
) 输入 低. 如果 字节 低 启用 (ble) 是 低, 然后 数据
从 我/o 针脚 (我/o
0
通过 我/o
7
), 是 书面 进入 这 位置
指定 开启 这 地址 针脚 (一个
0
通过 一个
19
). 如果 字节 高
启用 (bhe
) 是 低, 然后 数据 从 我/o 针脚 (我/o
8
通过
我/o
15
) 是 书面 进入 这 位置 指定 开启 这 地址 针脚
(一个
0
通过 一个
19
).
阅读 从 这 设备 是 已完成 由 启用 这 芯片
由 服用 ce
1
低 和 ce
2
高 同时 强迫 这 输出
启用 (oe
) 低 和 这 写 启用 (我们) 高. 如果 字节
低 启用 (ble
) 是 低, 然后 数据 从 这 记忆 位置
指定 由 这 地址 针脚 将 出现 开启 我/o
0
至 我/o
7
. 如果 字节
高 启用 (bhe
) 是 低, 然后 数据 从 记忆 将 出现
开启 我/o
8
至 我/o
15
. 请参见 这 真相 表 在 这 背面 的 这个 数据
工作表 用于 一个 完成 描述 的 阅读 和 写 模式.
这 输入/输出 针脚 (我/o
0
通过 我/o
15
) 是 已放置 入点 一个
高阻抗 州 当 这 设备 是 取消选择 (ce
1
高/ce
2
低), 这 产出 是 已禁用 (oe高), 这
BHE和 ble是 已禁用 (bhe, ble高), 或 期间 一个
写 操作 (ce
1
低, ce
2
高, 和 我们低).
这 cy7c1061av33 是 可用 入点 一个 54-管脚 tsop 二 包装
与 中心 电源 和 接地 (革命性的) 引出线, 和 一个
48-球 细距 球 网格 阵列 (fbga) 包装.
选择 指南
-8 -10 -12 单位
最大值 访问权限 时间 81012ns
最大值 操作 电流 商业 300 275 260 ma
工业 300 275 260
最大值 cmos 备用 电流 商业/工业 50 50 50 ma
逻辑 块 图表
管脚 配置
tsop 二 (顶部 查看)
我们
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
14
31
32
36
35
34
33
37
40
39
38
12
13
41
43
42
16
15
29
30
一个
5
一个
6
一个
7
一个
8
一个
0
一个
1
oe
v
ss
一个
17
我/o
15
一个
2
ce
1
我/o
2
我/o
0
我/o
1
BHE
一个
3
一个
4
18
17
20
19
我/o
3
27
28
25
26
22
21
23
24
我/o
6
我/o
4
我/o
5
我/o
7
一个
16
一个
15
ble
v
抄送
我/o
14
我/o
13
我/o
12
我/o
10
我/o
9
我/o
8
一个
14
一个
13
一个
12
一个
11
一个
9
一个
10
ce
2
44
46
45
47
50
49
48
51
53
52
54
v
ss
v
抄送
一个
19
一个
18
v
抄送
v
抄送
v
ss
dnu (做 不 使用)
v
ss
nc
v
抄送
我/o
11
v
ss
15
16
一个
1
一个
2
一个
3
一个
4
一个
5
一个
6
一个
7
一个
8
色谱柱
解码器
行 解码器
感觉 安培数
输入 缓冲区
1m x 16
阵列
一个
0
一个
12
一个
14
一个
13
一个
一个
一个
17
一个
18
一个
10
一个
11
4096 x 4096
我/o
0
–
我/o
7
oe
我/o
8
–
我/o
15
ce
1
我们
ble
BHE
一个
9
一个
19
ce
2
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