sn54abt16541, sn74abt16541a
16-位 缓存区/驱动器
和 3-状态 输出
scbs118c – 二月 1991 – 修订 january 1997
1
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
D
members 的 这 德州 器械
Widebus
家族
D
状态-的-这-艺术
epic-
ΙΙ
B
bicmos 设计
significantly 减少 电源 消耗
D
获得-向上 效能 超过 500 毫安 每
电子元件工业联合会 标准 jesd-17
D
典型 v
OLP
(输出 地面 bounce)
< 0.8 v 在 v
CC
= 5 v, t
一个
= 25
°
C
D
distributed v
CC
和 地 管脚 配置
降低 高-速 切换 噪音
D
流动-通过 architecture optimizes pcb
布局
D
高-驱动 输出 (–32-毫安 i
OH
, 64-毫安I
OL
)
D
包装 选项 包含 塑料 300-mil
shrink 小-外形 (dl), 薄的 shrink
小-外形 (dgg), 薄的 非常
小-外形 (dgv) 包装 和 380-mil
fine-程度 陶瓷的 flat (wd) 包装
使用 25-mil 中心-至-中心 spacings
描述
这 sn54abt16541 和 sn74abt16541a 是
同相 16-位 缓存区 composed 的 二 8-位
sections 和 独立的 输出-使能 信号. 为
也 8-位 缓存区 部分, 这 二 输出-使能
(1oe1
和 1oe2或者 2oe1和 2oe2) 输入 必须
两个都 是 低 为 这 相应的 y 输出 至 是
起作用的. 如果 也 输出-使能 输入 是 高, 这
输出 的 那 8-位 缓存区 部分 是 在 这
高-阻抗 状态.
至 确保 这 高-阻抗 状态 在 电源 向上 或者 电源 向下, oe
应当 是 系 至 v
CC
通过 一个 pullup
电阻; 这 最小 值 的 这 电阻 是 决定 用 这 电流-sinking 能力 的 这 驱动器.
这 sn54abt16541 是 典型 为 运作 在 这 全部 军队 温度 范围 的 –55
°
c 至 125
°
c.
这 sn74abt16541a 是 典型 为 运作 从 –40
°
c 至 85
°
c.
函数 表格
(各自 8-位 部分)
输入
输出
OE1 OE2
一个
Y
L L L L
L LH H
H XX Z
X H X Z
版权
1997, 德州 器械 组成公司的
除非 否则 指出 这个 文档 包含 生产
数据 信息 电流 作 的 发行 日期. 产品 遵从 至
规格 每 这 条款 的 德州 器械 标准 保用单.
生产 处理 做 不 必然地 包含 测试 的 所有
参数.
请 是 知道 那 一个 重要的 注意 涉及 有效性, 标准 保用单, 和 使用 在 核心的 产品 的
德州 器械 半导体 产品 和 免责声明 附之 呈现 在 这 终止 的 这个 数据 薄板.
widebus 和 epic-
ΙΙ
b 是 商标 的 德州 器械 组成公司的.
SN54ABT16541 . . . wd 包装
SN74ABT16541A . . . dgg, dgv, 或者 dl 包装
(顶 视图)
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