HY62U8200B-I_集成电路资料查询网

这个 文档 是 一个 一般 产品 描述 和 是 主题 至 改变 没有 注意. hynix electronics 做 不  假设 任何 责任
为 使用 的 电路 描述. 非 专利权 许可 是 暗指.
rev 06/Apr. 2001hynix 半导体
HY62U8200B序列
256kx8bit cmos  sram
文档 标题
256k x8 位 3.0v 低 电源 cmos 慢 sram
修订 history
修订 非Historydraft 日期Remark
03最初的 修订 history insert                                                       jul.29.2000        最终
修订
-改进 运行 电流
icc1 : 60ma =>30mA
04                   改变 这 notch location 的 stsopsep.04.2000       最终
-Left-顶  => left-中心
05                   标记 信息 增加dec.04.2000       最终
修订
-交流 测试 情况 增加 : 5pf 测试 加载
-VIH最大值 : vcc + 0.2v => vcc + 0.3v
06changed 标志                                                                            apr.30.2001        最终
-HYUNDAI-> hynix
-标记 信息 改变

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这个文档是一个一般产品描述和是主题至改变没有注意. hynix electronics 做不假设任何责任为使用的电路描述. 非专利权许可是暗指. rev 06/Apr. 2001hynix 半导体 HY62U8200B序列 256kx8bit cmos sram 文档标题 256k x8 位 3.0v 低电源 cmos 慢 sram 修订 history 修订非Historydraft 日期Remark 03最初的修订 history insert jul.29.2000 最终修订 -改进运行电流 icc1 : 60ma =>30mA 04 改变这 notch location 的 stsopsep.04.2000 最终 -Left-顶 => left-中心 05 标记信息增加dec.04.2000 最终修订 -交流测试情况增加 : 5pf 测试加载 -VIH最大值 : vcc + 0.2v => vcc + 0.3v 06changed 标志 apr.30.2001 最终 -HYUNDAI-> hynix -标记信息改变

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