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74H1G66
单独 双边 开关

二月 2000
■
高 速度: t
pd
= 4 ns (典型值.) 在 v
抄送
=5V
■
低 电源 耗散:
我
抄送
=1
µ
一个 (最大值.) 在 t
一个
=25
o
c
■
高 噪声 免疫:
v
NIH
=V
NIL
=28%V
抄送
(最小.)
■
低 ”ON” 电阻
右
开启
=50
Ω
(典型值.) 在 v
抄送
=9V 我
我/o
=100
µ
一个
■
正弦 波浪 失真
0.042% (典型值.) 在 v
抄送
=4V f=1KHz
■
宽 操作 电压范围:
v
抄送
(opr) = 2V 至 12V
描述
这 74H1G66 是 一个 高速 CMOS 单独
双边 开关 预制 入点 硅 闸门
c
2
mos 技术. 它 有 高 速度
业绩 合并 与 真 CMOS 低
电源 消费.
这 c 输入 是 提供 至 控制 这 开关; 这
开关 是 开启 当 这 c 输入 是 持有 高 和 关
当 c 是 持有 低.
管脚 连接 和 IEC 逻辑 符号
订单 代码 :
74H1G66S
s
(sot23-5l)
1/8

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74H1G66 单独双边开关  二月 2000 ■ 高速度: t pd = 4 ns (典型值.) 在 v 抄送 =5V ■ 低电源耗散: 我抄送 =1 µ 一个 (最大值.) 在 t 一个 =25 o c ■ 高噪声免疫: v NIH =V NIL =28%V 抄送 (最小.) ■ 低 ”ON” 电阻右开启 =50 Ω (典型值.) 在 v 抄送 =9V 我我/o =100 µ 一个 ■ 正弦波浪失真 0.042% (典型值.) 在 v 抄送 =4V f=1KHz ■ 宽操作电压范围: v 抄送 (opr) = 2V 至 12V 描述这 74H1G66 是一个高速 CMOS 单独双边开关预制入点硅闸门 c 2 mos 技术. 它有高速度业绩合并与真 CMOS 低电源消费. 这 c 输入是提供至控制这开关; 这开关是开启当这 c 输入是持有高和关当 c 是持有低. 管脚连接和 IEC 逻辑符号订单代码 : 74H1G66S s (sot23-5l) 1/8

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