综合 设备 技术, 公司
军事 和 商业 温度 范围 12月 1996
1996 综合 设备 技术, 公司
dsc-2677/7
5.09 1
特点:
• 第一-入点/第一-出点 双端口 记忆
• 有点 组织机构
– idt72021—1k x 9
– idt72031—2k x 9
– idt72041—4k x 9
• 超 高 速度
– idt72021—25ns 访问权限 时间
– idt72031—35ns 访问权限 时间
– idt72041—35ns 访问权限 时间
• 很容易 expandable 入点 字 深度 和/或 宽度
• 异步 和 同时 阅读 和 写
• 功能上 等效 至 idt7202/03/04 与 输出
启用 (
oe
) 和 几乎 空/几乎 已满 旗子 (
AEF
)
• 四 状态 旗帜: 已满, 空, 一半-已满 (single 设备
模式), 和 几乎 空/几乎 已满 (7/8 空 或 7/8
已满 入点 单独 设备 模式)
• 输出 启用 控件 这 数据 输出 港口
• 自动-重发 能力
• 可用 入点 32-管脚 倾角 和 plcc
• 军事 产品 符合 至 密耳-标准-883, 类 b
• 工业 温度 范围 (-40
o
c 至 +85
o
c) 是 可用
能, 已测试 至 军事 电气 规格
描述:
idt72021/031/041s 是 高-速度, 低-电源, 双端口
记忆 设备 通常 已知 作为 fifos (第一-入点/第一-
出点). 数据 可以 是 书面 进入 和 阅读 从 这 记忆 在
独立 费率. 这 订单 的 信息 已存储 和 ex-
tracted 是否 不 变更, 但是 这 费率 的 数据 进入 这 先进先出
可能 是 不同的 比 这 费率 离开 这 先进先出. 不像 一个
静态 ram, 否 地址 信息 是 必填项 因为 这
阅读 和 写 指针 预付款 按顺序. 这 idt72021/
031/041s 可以 执行 异步 和 同时 阅读
和 写 运营. 那里 是 四 状态 旗帜, (
HF
,
ff
,
ef
,
AEF
) 至 显示器 数据 溢出 和 下溢. 输出 启用
(
oe
) 是 提供 至 控制 这 流量 的 数据 通过 这 输出
港口. 附加 钥匙 特点 是 写 (
w
), 阅读 (
右
), retrans-
麻省理工学院 (
rt
), 第一 荷载 (
左前
), 扩展 入点 (
XI
) 和 扩展 出点
(
XO
). 这 idt72021/031/041s 是 设计 用于 那些 应用程序-
阳离子 要求 数据 控制 旗帜 和 输出 启用 (
oe
) 入点
多处理 和 费率 缓冲区 应用程序.
这 idt72021/031/041s 是 预制 使用 idt’s cmos
技术. 军事 等级 产品 是 已制造 入点 compli-
标准 与 这 最新 版本 的 密耳-标准-883, 类 b, 用于 高
可靠性 系统.
IDT72021
IDT72031
IDT72041
cmos 异步 先进先出 与
重发
1k x 9, 2k x 9, 4k x 9
w
右
XI
2677 drw 01
写
控制
写
指针
阅读
指针
重置
逻辑
阅读
控制
旗子
逻辑
扩展
逻辑
数据 输入
(d
0
–D
8
)
ram
阵列
1024 x 9
2048 x 9
4096 x 9
1
2
数据 产出
(q
0
–Q
8
)
三个-
state?
缓冲区
1024/
2048/
4096
AEF
ef
ff
左前/rt
xo/hf
rs
oe
这 idt 徽标 是 一个 已注册 商标 的 综合 设备 技术, 公司
快 是 一个 商标 的 国家 半导体 一氧化碳.
功能 块 图表
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