半导体 组件 industries, llc, 2004
january, 2004 − rev. 0
发行 顺序 号码:
imh20tr1g/d
IMH20TR1G
双 偏差 电阻
晶体管
npn 表面 挂载
•
低 v
CC
(sat) 80 mv 最大值 在 ic/ib = 50 毫安/2.5 毫安
•
高 电流: i
C
= 600 毫安 最大值
•
这个 是 一个 pb−free 设备
最大 比率
(t
一个
= 25
°
c)
比率
标识 值 单位
collector−base 电压 V
(br)cbo
30 Vdc
collector−emitter 电压 V
(br)ceo
15 Vdc
emitter−base 电压 V
(br)ebo
5.0 Vdc
集电级 电流 − 持续的 I
C
600 mAdc
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
电源 dissipation* P
D
300 mW
接合面 温度 T
J
150
°
C
存储 温度 T
stg
−55 至 +150
°
C
*total 为 两个都 晶体管.
q1 + q2: npn
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的 标识 最小值 最大值 单位
collector−emitter 损坏 电压
(i
C
= 1.0 madc, i
B
= 0)
V
(br)ceo
15 − Vdc
collector−base 损坏 电压
(i
C
= 50
模数转换器, i
E
= 0)
V
(br)cbo
30 − Vdc
emitter−base 损坏 电压
(i
E
= 50
模数转换器, i
C
= 0)
V
(br)ebo
5.0 − Vdc
collector−base 截止 电流
(v
CB
= 20 vdc, i
E
= 0)
I
CBO
− 0.5
模数转换器
emitter−base 截止 电流
(v
EB
= 4.0 v, i
C
= 0)
I
EBO
− 0.5
模数转换器
直流 电流 增益 (便条 1)
(v
CE
= 5.0 vdc, i
C
= 50 madc)
h
FE
100 600 −
collector−emitter 饱和 电压
(i
C
= 50 madc, i
B
= 2.5 madc)
V
ce(sat)
− 80 mV
输入 阻抗 R
1
1.54 2.86 k
1. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
≤
300
s, d.c.
≤
2%.
SC−74
标记
图解
h20 m
H20 = 明确的 设备 代号
M = 日期 代号
设备 包装 Shipping
†
订货 信息
IMH20TR1G
SC−74R 3000/录音带 &放大; 卷轴
Q
1
http://onsemi.com
Q2
R1
R1
(4)
(5)
(6)
(1)
(2)
(3)
SC−74R
318AA
样式 21
1
6
†for 信息 在 录音带 和 卷轴 规格,
包含 部分 方向 和 录音带 sizes, 请
谈及 至我们的 tape 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
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