HEXFET
®
电源 场效应晶体管
IRLZ34NS
pd - 9.1308a
v
DSS
= 55v
右
ds(开启)
= 0.035
Ω
我
d
= 27a
s
d
g
11/11/96
初步
参数 最小值 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
连接至壳体 –––– –––– 2.7
右
θ
ja
交叉点到环境 (pcb 安装,稳定-州)** –––– –––– 40
热 电阻
°c/w
逻辑电平 闸门 驱动器
高级 流程 技术
表面 安装
动态 设计验证/dt 评级
175°c 操作 温度
快 开关
完全 雪崩 额定
参数 最大值 单位
我
d
@ t
c
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
27
我
d
@ t
c
= 100°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
19 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
110
p
d
@T
c
= 25°c 电源 耗散 56 w
线性 降额 因素 0.37 w/°c
v
gs
栅极到源极 电压 ±16 v
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源
110 mj
我
ar
雪崩 电流
16 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
5.6 mJ
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
10 v/ns
t
j
操作 接合点 和 -55 至 + 175
t
stg
存储 温度 范围 °C
焊接 温度, 用于 10 秒 300 (1.6mm 从 案例)
绝对 最大值 额定值
第五 世代 hexfets 从 国际 整流器
利用 高级 加工 技术 至 实现 这
最低 可能 导通电阻 按 硅 面积. 这个 效益,
合并 与 这 快 开关 速度 和 加固
设备 设计 那 hexfet 电源 mosfets 是 井
已知 用于, 提供 这 设计师 与 一个 极其 高效
设备 用于 使用 入点 一个 宽 品种 的 应用程序.
这 d
2
pak 是 一个 表面 安装 电源 包装 有能力 的
可容纳性 模具 尺码 向上 至 十六进制-4. 它 提供 这
最高 电源 能力 和 这 最低 可能 开启-
电阻 入点 任何 现有 表面 安装 包装. 这
d
2
pak 是 适合 用于 高 电流 应用程序 因为 的
其 低 内部 连接 电阻 和 可以 消散 向上
至 2.0w 入点 一个 典型 表面 安装 应用程序.
描述
2
d pak
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