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符号 测试一下 条件 最大值额定值
v
DSS
t
j
=25
°
c至150
°
c 500 v
v
DGR
t
j
= 25
°
c 至150
°
c; 右
gs
= 1 m
Ω
500 v
v
gs
连续
±
20 v
v
GSM
瞬态
±
30 v
我
D25
t
c
= 25
°
c 24N50 24 一个
26N50 26 一个
我
dm
t
c
= 25
°
c, 备注1 24N50 96 一个
26N50 104 一个
我
ar
t
c
= 25
°
c 24N50 24 一个
26N50 26 一个
e?
ar
t
c
= 25
°
c 30 mJ
e?
作为
t
c
= 25
°
c 1.5 j
设计验证/dt
我
s
≤
我
dm
, di/dt
≤
100 一个/
µ
s, v
dd
≤
v
DSS
, 5v/ns
t
j
≤
150
°
c, 右
g
= 2
Ω
p
d
t
c
= 25
°
c 300 w
t
j
-55 ... +150
°
c
t
JM
150
°
c
t
stg
-55 ... +150
°
c
t
l
1.6 mm (0.063 入点) 从 案例 用于 10 s 300
°
c
m
d
安装 扭矩 1.13/10 nm/磅.入点.
重量
至-247 6 g
至-268 4 g
n通道 增强功能 模式
雪崩 额定, 低 q
g
,
高 设计验证/dt
特点
ixys 高级 低 q
g
流程
国际 标准 软件包
低 右
ds (开启)
松开 归纳 开关 (uis)
额定
快 开关
成型环氧树脂满足ul
94
v-0
可燃性 分类
优点
容易 至 安装
空间 储蓄
高 电源 密度
符号 测试一下 条件 特性 数值
(t
j
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
v
DSS
v
gs
= 0 v, 我
d
= 250
µ
一个 500 v
v
gs(th)
v
ds
= v
gs
, 我
d
= 4 ma 2.5 4.5 v
我
GSS
v
gs
=
±
20 v
直流
, v
ds
= 0
±
100 不适用
我
DSS
v
ds
= v
DSS
t
j
= 25
°
C25
µ
一个
v
gs
= 0 v t
j
= 125
°
C1mA
右
ds(开启)
v
gs
= 10 v, 我
d
= 0.5 我
D25
24N50Q 0.23
Ω
备注2 26N50Q 0.20
Ω
98512G (5/01)
HiPerFET
tm
电源 mosfets
q-类
至-247 广告 (ixfh)
(选项卡)
g = 闸门,d = 排水管,
s = 来源,选项卡 = 排水管
至-268 (d3) (ixft) 案例 风格
(选项卡)
g
s
v
DSS
我
D25
右
ds(开启)
ixfh/ixft 24n50q 500 v 24 一个 0.23
ΩΩ
ΩΩ
Ω
ixfh/ixft 26n50q 500 v 26 一个 0.20
ΩΩ
ΩΩ
Ω
t
rr
≤ ≤
≤ ≤
≤
250 ns
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