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符号 测试一下 条件 最大值额定值
v
DSS
t
j
= 25
°
c 至150
°
c 250 v
v
DGR
t
j
= 25
°
c 至 150
°
c; 右
gs
= 1 m
Ω
250 v
v
gs
连续
±
20 v
v
GSM
瞬态
±
30 v
我
D25
t
c
= 25
°
c (场效应晶体管 芯片 能力) 120 一个
我
D104
t
c
= 104
°
c (外部 铅 能力) 75 一个
我
dm
t
c
= 25
°
c, 脉冲 宽度 有限 由 t
JM
480 一个
我
ar
t
c
= 25
°
C90A
e?
ar
t
c
=25
°
C64mJ
e?
作为
t
c
=25
°
C3J
设计验证/dt
我
s
≤
我
dm
, di/dt
≤
100 一个/
µ
s, v
dd
≤
v
DSS
5 v/ns
t
j
≤
150
°
c, 右
g
= 2
Ω
p
d
t
c
=25
°
c 560 w
t
j
-55 ... +150
°
c
t
JM
150
°
c
t
stg
-55 ... +150
°
c
t
l
1.6mm(0.063入点.)从案例用于10s 300
°
c
m
d
安装 扭矩 至-264 0.7/6nm/磅.入点.
重量
加号 247 6 g
至-264 10 g
符号 测试一下 条件 特性 数值
(t
j
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
v
DSS
v
gs
= 0 v, 我
d
= 1ma 250 v
v
gs(th)
v
ds
= v
gs
, 我
d
= 8ma 2.0 4.0 v
我
GSS
v
gs
=
±
20 v, v
ds
= 0
±
200
n
一个
我
DSS
v
ds
= v
DSS
t
j
= 25
°
c 50
µ
一个
v
gs
= 0 v t
j
= 125
°
c3 ma
右
ds(开启)
v
gs
= 10 v, 我
d
= 0.5 我
D25
22 m
Ω
备注 1
单独 场效应晶体管 模具
特点
国际 标准 软件包
低 右
ds (开启)
HDMOS
tm
流程
坚固耐用 多晶硅闸门 细胞 结构
松开归纳开关(uis)
额定
低 包装 电感
- 容易 至 驱动器 和 至 保护
快 内在的 整流器
应用程序
直流-直流 转换器
蓄电池充电器
切换模式 和 谐振模式
电源 供应品
直流 斩波器
交流电 电机 控制
温度 和 照明 控件
优点
加号247
tm
包装用于夹子或弹簧
安装
空间 储蓄
高电源密度
HiPerFET
tm
电源 mosfets
98912 (2/02)
加号 247
tm
(ixfx)
g
d
(选项卡)
g = 闸门 d=排水管
s = 来源 选项卡 = 排水管
ixfx 120n25
v
DSS
= 250 v
ixfk 120n25
我
D25
= 120 一个
右
ds(开启)
= 22 m
ΩΩ
ΩΩ
Ω
t
rr
≤ ≤
≤ ≤
≤
250 ns
s
g
d
(选项卡)
至-264 aa (ixfk)
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