技术的 数据
npn 硅 晶体管
qualified 每 mil-PRF-19500/366
设备 qualified 水平的
2N3498
2N3498L
2N3499
2N3499L
2N3500
2N3500L
2N3501
2N3501L
JAN
JANTX
JANTXV
JANS
最大 比率
比率
标识
2N3498
*
2N3499
*
2N3500
*
2N3501
*
单位
集电级-发射级 电压
V
CEO
100 150 Vdc
集电级-根基 电压
V
CBO
100 150 Vdc
发射级-根基 电压
V
EBO
6.0 6.0 Vdc
集电级 电流
I
C
500 300 mAdc
总的 电源 消耗@ t
一个
= 25
0
C
(1)
@ t
C
=25
0
C
(2)
P
T
1.0
5.0
W
W
运行 &放大; 存储 接合面 温度 范围
T
J
,
T
stg
-55 至 +200
0
C
热的 特性
特性 标识 最大值 单位
热的 阻抗:接合面-至-情况
接合面-至-包围的
R
θ
JC
R
θ
JA
35
175
0
c/w
*electrical 特性 为 “l” 后缀 设备 是 完全同样的 至 这 “non l” 相应的 设备
1) 减额 成直线地 5.71 w/
0
c 为 t
一个
> 25
0
C
2) 减额 成直线地 28.6 w/
0
c 为 t
C
> 25
0
C
至-5*
2n3498l, 2n3499l
2n3500l, 2n3501l
至-39* (至-205ad)
2n3498, 2n3499
2n3500, 2n3501
*see 附录 一个 为
包装 外形
电的 特性 (t
一个
= 25
0
c 除非 否则 指出)
特性
标识 最小值 最大值 单位
止 特性
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 10 madc2N3498, 2n3499
2n3500, 2n3501
V
(br)
CEO
100
150
Vdc
集电级-根基 截止 电流
V
CB
= 50 vdc2n3498, 2n3499
V
CB
= 75 vdc2n3500, 2n3501
V
CB
= 100 vdc2n3498, 2n3499
V
CB
= 150 vdc2n3500, 2n3501
I
CBO
50
50
10
10
η
模数转换器
η
模数转换器
µ
模数转换器
µ
模数转换器
Emitter-根基 截止 电流
V
EB
= 4.0 vdc
V
EB
= 6.0 vdc
I
EBO
25
10
η
模数转换器
µ
模数转换器
6 lake 街道, lawrence, 毫安 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / 传真: (978) 689-0803
120101
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