1
motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
一般 目的 晶体管
npn 硅
最大 比率
比率 标识 BC846
BC847
BC850
BC848
BC849
单位
集电级–发射级 电压 V
CEO
65 45 30 V
集电级–根基 电压 V
CBO
80 50 30 V
发射级–根基 电压 V
EBO
6.0 6.0 5.0 V
集电级 电流 — 持续的 I
C
100 100 100 mAdc
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 fr–5 板, (1)
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
225
1.8
mW
mw/
°
C
热的 阻抗, 接合面 至 包围的
R
q
JA
556
°
c/w
总的 设备 消耗
alumina 基质, (2) t
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
300
2.4
mW
mw/
°
C
热的 阻抗, 接合面 至 包围的
R
q
JA
417
°
c/w
接合面 和 存储 温度 T
J
, t
stg
–55 至 +150
°
C
设备 标记
bc846alt1 = 1a; bc846blt1 = 1b; bc847alt1 = 1e; bc847blt1 = 1f;
bc847clt1 = 1g; bc848alt1 = 1j; bc848blt1 = 1k; bc848clt1 = 1l
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
集电级–发射级 损坏 电压 bc846a,b
(i
C
= 10 毫安) bc847a,b,c, bc850a,b,c
bc848a,b,c, bc849a,b,c
V
(br)ceo
65
45
30
—
—
—
—
—
—
V
集电级–发射级 损坏 电压 bc846a,b
(i
C
= 10
µ
一个, v
EB
= 0) bc847a,b,c, bc850a,b,c
bc848a,b,c, bc849a,b,c
V
(br)ces
80
50
30
—
—
—
—
—
—
V
集电级–根基 损坏 电压 bc846a,b
(i
C
= 10
m
一个) bc847a,b,c, bc850a,b,c
bc848a,b,c, bc849a,b,c
V
(br)cbo
80
50
30
—
—
—
—
—
—
V
发射级–根基 损坏 电压 bc846a,b
(i
E
= 1.0
m
一个) bc847a,b,c
bc848a,b,c, bc849a,b,c, bc850a,b,c
V
(br)ebo
6.0
6.0
5.0
—
—
—
—
—
—
V
集电级 截止 电流 (v
CB
= 30 v)
(v
CB
= 30 v, t
一个
= 150
°
c)
I
CBO
—
—
—
—
15
5.0
nA
µ
一个
1. fr–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 在 2. alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.
热的 clad 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司.
Preferred
设备 是 motorola 推荐 choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
顺序 这个 文档
用 bc846alt1/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
bc846alt1,blt1
bc847alt1,
blt1,clt1 thru
bc850alt1,blt1,
CLT1
bc846, bc847 和 bc848 是
motorola preferred 设备
1
2
3
情况 318–08, 样式 6
SOT–23 (至 – 236ab)
motorola, 公司 1996
集电级
3
1
根基
2
发射级
: 点此下载
