特性
• 管制 电压 范围 3.0 至 3.6v 写, 擦掉 和
读(mx29l1611-75/10/12)
• 快 随机的 进入/页 模式 进入 时间: 75/
30ns, 100/30ns, 120/30ns.
• 全部 电压 范围 2.7 至 3.6v 写, 擦掉 和 读
(mx29l1611-90)
• 快 随机的 进入/页 模式 进入 时间: 90/
35ns
• 忍耐力: 10,000 循环
• 页 进入 depth: 16 字节/8 words, 页 地址
a0, a1, a2
• sector 擦掉 architecture
- 32 equal sectors 的 64k 字节 各自
- sector 擦掉 时间: 200ms 典型
• 自动 擦掉 和 自动 程序 algorithms
- automatically erases 任何 一个 的 这 sectors 或者 这
全部的 碎片 和 擦掉 suspend 能力
- automatically programs 和 核实 数据 在 指定
地址
• 状态 寄存器 特性 为 发现 的 程序 或者
擦掉 循环 completion
• 低 vcc 写 inhibit < 1.8v
• 软件 和 硬件 数据 保护
• 页 程序 运作
- 内部的 地址 和 数据 latches 为 128 字节/64
words 每 页
- 页 程序编制 时间: 5ms 典型
• 低 电源 消耗
- 50ma 起作用的 电流
- 20ua 备用物品 电流
• 二 independently 保护 sectors
• 工业 标准 表面 挂载 包装
- 44 含铅的 sop, 48 tsop(i)
一般 描述
这 mx29l1611 是 一个 16-mega 位 pagemode flash
记忆 有组织的 作 也 1m wordx16 或者 2m bytex8.
这 mx29l1611 包含 32 sectors 的 64kb(65,536
字节 或者 32,768 words). mxic's flash memories 提供
这 大多数 费用-有效的 和 可依靠的 读/写 非-
易变的 随机的 进入 记忆 和 快 页 模式
进入. 这 mx29l1611 是 packaged 44-管脚 sop 和
48-tsop(i). 它 是 设计 至 是 reprogrammed 和
erased 在-系统 或者 在-标准 非易失存储器 programmers.
这 标准 mx29l1611 提供 进入 时间 作 快 作
100ns,准许 运作 的 高-速 微处理器
没有 wait. 至 eliminate 总线 contention, 这 mx29l1611
有 独立的 碎片 使能 ce, 输出 使能 (oe), 和
写 使能 (我们) 控制.
mxic's flash memories augment 非易失存储器 符合实际
和 在-电路 电的 erasure 和 程序编制. 这
mx29l1611 使用 一个 command 寄存器 至 manage 这个
符合实际.
至 准许 为 简单的 在-系统 reprogrammability, 这
mx29l1611 做 不 需要 高 输入 电压 为
程序编制. 三-volt-仅有的 commands 决定
这 运作 的 这 设备. 读 数据 输出 的 这
设备 是 类似的 至 读 从 一个 非易失存储器.
mxic flash 技术 reliably stores 记忆 内容
甚至 之后 10,000 循环. 这 mxic's cell 是 设计
至 优化 这 擦掉 和 程序编制 mechanisms. 在
增加, 这 结合体 的 先进的 tunnel oxide
处理 和 低 内部的 electric 地方 为 擦掉 和
程序编制 行动 生产 可依靠的 cycling. 这
mx29l1611 使用 一个 2.7v~3.6v vcc 供应 至 执行
这 自动 擦掉 和 自动 程序 algorithms.
这 最高的 程度 的 获得-向上 保护 是 达到
和 mxic's 专卖的 非-epi 处理. 获得-向上
保护 是 proved 为 压力 向上 至 100 milliamps 在
地址 和 数据 管脚 从 -1v 至 vcc +1v.
1
p/n:pm0511
rev. 2.4, 十一月 06, 2001
MX29L1611
16m-位 [2m x 8/1m x 16] cmos
单独的 电压 pagemode flash 可擦可编程只读存储器
初步的
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