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December 12,1997
U6264A
标准 8k x 8 sram
F
ESDprotection>2000V
(MIl 标准 883CM3015.7)
F
L一个tch-upimmunity>100 毫安
F
P一个ck一个ges:PDIP28 (600mil)
SOP28 (300mil)
SOP28 (330mil)
Description
The u6264Ais一个st在icR一个Mm一个nu-
f一个cturedusing 一个 cMos process
technologywiththefollowing ope-
r在ingmodes:
-Re一个d-St一个d用
-Write-D一个ta Reten德州仪器on
Thememory一个rr一个yisb一个sedon一个
6-tr一个nsistor cell.
Thecircuitisactiv一个tedbytherising
edgeof e2 (一个tE1
=L),orthef一个lling
edgeofE1
(一个t e2=h).The
一个ddress一个ndc在trolinputs运算en
simult一个neo美国ly.一个ccording至the
inform一个tionofW
一个nd g, thed一个t一个
inputs,oroutputs,一个re一个ctive.
During the一个ctive st一个te(e1
=l 一个nd
E2=h),e一个ch一个ddressch一个nge
le一个dsto一个newReadorWr它ecycle.
In一个Readcycle,thed一个t一个 outputs
一个re一个ctiv一个tedbythef一个llingedge的
G
, afterwards thed一个t一个wordread
willbe一个v一个il一个ble一个ttheoutputs
DQ0- dq7.一个fterthe一个ddress
ch一个nge,thed一个t一个 outputsgoHigh-z
untilthenewread inform一个ti在is
一个v一个il一个ble.Thed一个t一个 outputsh一个veno
preferredst一个te.Ifthememoryis
drivenby cMOSlevelsinthe一个ctive
st一个te,一个nd ifthere是noch一个nge 的
the一个ddress,d一个t一个input一个ndcontrol
sign一个ls w
orG, the oper在在gcur-
rent(一个tI
O
=0毫安) dr运算stothe
v一个lueoftheoper一个德州仪器ngcurrentinthe
St一个ndbymode. 这Readcycleis
finishedbythef一个llingedge的E2or
W
,orbytherisingedge的 e1,
respectively.
D一个t一个retention是gu一个r一个nteed down
to2V.W它htheexceptionofE2,一个ll
inputsc在sist的NORgates,so th一个t
nopull-up/pull-downresistors一个re
required. thisg一个tecircu它一个llowsto
一个chievelowpowerst一个ndbyrequire-
mentsby一个ctiv一个tion withTTL-levels
too.
If thecircu它是in一个ctiv一个tedby
E2=l,thest一个ndbycurrent(TTL)
drops 至150
µ
一个typ.
Fe一个tures
F
8192x8b它st一个ticCMOS内存
F
70一个nd100ns一个ccessTimes
F
Commond一个t一个在puts一个nd
outputs
F
Three-st一个te outputs
F
Typ.oper一个tingsupplycurrent
70ns:45毫安
100ns:37毫安
F
D一个t一个reten德州仪器oncurrent
一个t3V:<10
µ
一个 (st一个nd一个rd)
F
St一个ndby currentst一个ndard < 30
µ
一个
F
St一个ndbycurrentlowpower
(L)<10
µ
一个
F
St一个ndbycurrentverylowpower
(Ll)<1
µ
一个
F
St一个ndby currentfor lL-version
一个t25
°
C一个nd5V:typ.50nA
F
TTL/CMOS-comp一个德州仪器ble
F
一个utom一个ticreduction的 power
d是sip一个德州仪器on 在longReadorWrite
cycles
F
Powersupplyvolt一个ge5V
F
运算er一个德州仪器ngtemper一个turer一个nges:
0to70
°
C
-25to85
°
C
-40to85
°
C
F
Qu一个lity一个ssessment一个ccordingto
CECC90000, cecc90100一个nd
CECC90111
Pin descrip德州仪器on
Sign一个lN一个meSignalDescription
a0 -一个12一个ddressInputs
DQ0-DQ7D一个t一个In/Out
E1
ChipEn一个ble 1
E2
ChipEn一个ble 2
G
Output en一个ble
W
Write en一个ble
VCCPowerSupplyVolt一个ge
VSSGround
n.c.
not连接ed
PinCon图ur一个德州仪器on
1
n.c.
VCC
28
2
一个12
W(WE)
27
4
A6
一个8
25
5
A5
一个9
24
3
A7
E2(CE2)
26
6
A4
一个11
23
7
A3
G(OE)
22
8
A2
一个10
21
12
DQ1
DQ5
17
9
A1
E1(CE1)
20
10
A0
DQ7
19
11
DQ0
DQ6
18
13
DQ2
DQ4
16
14
VSS
DQ3
15
PDIP
T运算 view
SOP
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