4-61
STK15C68
8k x 8
AutoStore
™ nvSRAM
高 效能 cmos
nonvolatile 静态的 内存
特性
• nonvolatile 存储 没有 电池 问题
• 直接地 替代 8k x 8 静态的 内存, 电池
backed 内存 或者 可擦可编程只读存储器
• 25ns, 35ns 和 45ns 进入 时间
• store 至 可擦可编程只读存储器 initiated 用 软件 或者
AutoStore
™ 在 电源 向下
• recall 至 sram 用 软件 或者 电源 restore
• 15ma i
CC
在 200ns 循环 时间
• unlimited 读, 写 和 recall 循环
• 1,000,000 store 循环 至 可擦可编程只读存储器
• 100 年 数据 保持 在 全部 工业的
温度 范围
• 商业的 和 工业的 温度 范围
• 28 管脚 600 或者 300 mil pdip 和 350 mil soic
描述
这 stk15c68 是 一个 快 sram 和 一个 nonvolatile
可擦可编程只读存储器 元素 组成公司的 在 各自 静态的 记忆
cell. 这 sram 能 是 读 和 写 一个 unlimited
号码 的 时间, 当 独立, nonvolatile 数据
resides 在 可擦可编程只读存储器. 数据 transfers 从 这 sram 至
可擦可编程只读存储器 (这
STORE
运作) 能 引领 放置 自动-
matically 在 电源 向下 使用 承担 贮存 在 系统
电容. transfers 从 这 可擦可编程只读存储器 至 这 sram
(这
RECALL
运作) 引领 放置 automatically 在 res-
toration 的 电源. initiation 的 store 和 recall
循环 能 也 是 控制 用 进去 控制
sequences 在 这 sram 输入. 这 nvsram 能 是
使用 在 放置 的 存在 8k x 8 srams 和 也 matches
这 引脚 的 8k x 8 电池 backed srams, eproms,
和 eeproms, 准许 直接 substitution 当 enhanc-
ing 效能. 那里 是 非 限制 在 这 号码 的 读
或者 写 循环 那 能 是 executed 和 非 支持 cir-
cuitry 是 必需的 为 微处理器 接口.
块 图解
一个
0
一个
12
VCC
电源
控制
一个
一个
一个
一个
一个
一个
5
6
7
8
9
11
12
一个
DQ
128 x 512
128 x 512
100
AA
2
一个
1
一个 AA
43
4
可擦可编程只读存储器 排列
DQ
DQ
DQ
5
RECALL
控制
排列
0
column dec
STORE
DQ
column i/o
DQ
6
发现
store/
1
输入 缓存区
7
行 解码器
2
软件
DQ
静态的 内存
3
RECALL
DQ
W
E
G
管脚 names
一个
0
- 一个
12
地址 输入
W 写 使能
DQ
0
- dq
7
数据 在/输出
E 碎片 使能
G 输出 使能
V
CC
电源 (+5v)
V
SS
地面
28 - 300 pdip
28 - 600 pdip
28 - 350 soic
NC
NC
10
GA
1
22
5
25
3
E
12
6
27
V
一个
23
5
6
一个
一个
7
16
3
11
0
一个
9
6
1
11
19
一个
8
17
0
7
一个
821
26
7
14
SS
3
28
DQ
9
4
CC
DQ
一个
DQ
5
一个
1
一个
W
一个
DQ
10
2
DQ
2
20
18 DQ
12
24
DQ
4
15
DQ
一个
V
一个
2
13
4
管脚 配置
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