STP50NE10L
N - 频道 100V - 0.020
Ω
- 50A 至-220
STripFET
电源 场效应晶体管
■
典型 R
ds(在)
= 0.020
Ω
■
EXCEPTIONAL dv/dt 能力
■
100% AVALANCHE 测试
■
低 门 承担 在 100
o
C
■
应用 朝向
描绘
描述
这个 电源 场效应晶体管 是 这 最新的 开发 的
意法半导体 唯一的 ”Single 特性
大小
” strip-为基础 处理. 这 结果
晶体管 显示 极其 高 包装 密度
为 低 在-阻抗, 坚毅的 avalanche
特性 和 较少 核心的 排成直线 步伐
因此 一个 remarkable 制造
reproducibility.
产品
■
高 电流, 高 速 切换
■
SOLENOID 和 接转 驱动器
■
发动机 控制, 音频的 放大器
■
直流-直流 &放大; 直流-交流 转换器
■
AUTOMOTIVE 环境 (injection,
abs, 空气-袋子, lampdrivers, 等.)
内部的 图式 图解
将 1999
绝对 最大 比率
Symbol Parameter Value Un它
V
DS
流-source 电压 (v
GS
= 0) 100 V
V
DGR
流- 门 电压 (r
GS
=20k
Ω
) 100 V
V
GS
Gate-source Voltage
±
20 V
I
D
流 Current (continuous) 在 T
c
=25
o
C50A
I
D
流 Current (continuous) 在 T
c
=100
o
C35A
I
DM
(
•
) 流 Current (搏动) 200 一个
P
tot
Total Dissipation 在 T
c
=25
o
C 150 W
减额 因素 1 w/
o
C
dv/dt (
1
) 顶峰 二极管 Recovery 电压 斜度 6 v/ns
T
stg
存储 温度 -65 至 175
o
C
T
j
最大值 运行 Junction Temperature 175
o
C
(
•
) 脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围 (
1
)i
SD
≤
50 一个, di/dt
≤
275 一个/
µ
s, V
DD
≤
V
(br)dss
,t
j
≤
T
JMAX
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
STP50NE10L 100 V <0.025
Ω
50 一个
1
2
3
至-220
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